Новости Новости 18.01.2018 в 17:41 comment

Samsung начал серийное производство первых в индустрии 2 ГБ модулей видеопамяти GDDR6 для видеокарт следующего поколения

author avatar
https://secure.gravatar.com/avatar/25f9b2416da07639967e18eb989e71c4?s=96&r=g&d=https://itc.ua/wp-content/uploads/2023/06/no-avatar.png *** https://secure.gravatar.com/avatar/25f9b2416da07639967e18eb989e71c4?s=96&r=g&d=https://itc.ua/wp-content/uploads/2023/06/no-avatar.png *** https://itc.ua/wp-content/themes/ITC_6.0/images/no-avatar.svg

Компания Samsung Electronics сегодня сообщила о начале массового производства первых в индустрии модулей памяти GDDR6, предназначенных для использования в видеокартах, игровых, сетевых и автомобильных устройствах, а также системах искусственного интеллекта.

Модули GDDR6-памяти емкостью 16 Гбит (2 ГБ) изготовлены по техпроцессу 10 нм класса (в компанию уточняют, что это значит техпроцесс в пределах от 10 до 19 нм), что вдвое превосходит решение предыдущего поколения в виде GDDR5-чипов объемом 8 Гбит (1 ГБ), выполненных по 20 нм техпроцессу. Новая память обеспечивает скорость 18 Гбит/с в расчете на один вывод (pin speed), что позволяет передавать данные на скоростях до 72 Гбайт/с, что в свою очередь более чем вдвое быстрее, чем в случае со старой памятью GDDR5, которая выдавала скорость 8 Гбит/с.

Использование нового схемодизайна позволило использовать более низкое напряжение питания 1,35 В, что снижает затраты энергии на 35% по сравнению с модулями памяти GDDR5, работающими от напряжения 1,55 В. Более «тонкий» техпроцесс также позволил повысить эффективность производства примерно на 30% по сравнению с 20 нм стандартом.

По мнению представителей Samsung Electronics, старт массового производства памяти GDDR6 должен сыграть критически важную роль в более скором появлении на рынке видеокарт следующего поколения, а также других быстро растущих сегментов с высокими требованиями к видеопамяти, включая системы обработки 8K Ultra HD видео, виртуальной и дополненной реальности, а также искусственного интеллекта.

Напомним, что недавно Samsung начал серийный выпуск второго поколения сверхбыстрой памяти High Bandwidth Memory-2 (HBM2) емкостью 8 ГБ, которая обеспечивает суммарную пропускную способность в 307 ГБ/с (у первого поколения — 256 ГБ/с), что в 9,6 раза превышает показатель микросхемы GDDR5 объемом 8 Гбит, равный 32 ГБ/с.

Источник: Samsung

Продолжается конкурс авторов ИТС. Напиши статью о развитии игр, гейминг и игровые девайсы и выигрывай профессиональный игровой руль Logitech G923 Racing Wheel, или одну из низкопрофильных игровых клавиатур Logitech G815 LIGHTSYNC RGB Mechanical Gaming Keyboard!


Loading comments...

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: