Компания Samsung сообщила о достижении значительного прогресса в процессе разработки технологии памяти RRAM (Resistive Random Access Memory — резистивная память случайного доступа).
Инженеры компании смогли значительно улучшить долговечность работы памяти RRAM. В частности, отмечается, что прототип памяти RRAM способен переключаться между циклами записи и удаления данных до триллиона раз. По данному показателю память RRAM в миллион раз превзошла возможности существующей стандартной флэш-памяти. Технология памяти RRAM, разрабатываемая компанией Samsung, подразумевает использование структуры на основе тантала, а не кремния, как в традиционных технологиях изготовления памяти. Помимо значительного увеличения долговечности работы, новые чипы памяти RRAM соответствуют и основным требованиям, предъявляемым к флэш-памяти. Они обеспечивают высокую плотность записи информации, высокую скорость изменения состояния ячеек и низкий уровень энергопотребления.
Информация о сроках начала коммерческой эксплуатации памяти RRAM пока не сообщается.