Новости Технологии 13.07.2011 в 14:57 comment

Samsung: память RRAM выдерживает в 1 млн раз больше циклов перезаписи, чем флэш-память

author avatar

ITC.UAСтажер

Репутація Наднизька

Раздел Технологии выходит при поддержке

Компания Samsung сообщила о достижении значительного прогресса в процессе разработки технологии памяти RRAM (Resistive Random Access Memory — резистивная память случайного доступа).

Samsung память RRAM выдерживает в 1 млн раз больше циклов перезаписи, чем флэш-память

Инженеры компании смогли значительно улучшить долговечность работы памяти RRAM. В частности, отмечается, что прототип памяти RRAM способен переключаться между циклами записи и удаления данных до триллиона раз. По данному показателю память RRAM в миллион раз превзошла возможности существующей стандартной флэш-памяти. Технология памяти RRAM, разрабатываемая компанией Samsung, подразумевает использование структуры на основе тантала, а не кремния, как в традиционных технологиях изготовления памяти. Помимо значительного увеличения долговечности работы, новые чипы памяти RRAM соответствуют и основным требованиям, предъявляемым к флэш-памяти. Они обеспечивают высокую плотность записи информации, высокую скорость изменения состояния ячеек и низкий уровень энергопотребления.

Информация о сроках начала коммерческой эксплуатации памяти RRAM пока не сообщается.

Раздел Технологии выходит при поддержке

Favbet Tech – это IT-компания со 100% украинской ДНК, которая создает совершенные сервисы для iGaming и Betting с использованием передовых технологий и предоставляет доступ к ним. Favbet Tech разрабатывает инновационное программное обеспечение через сложную многокомпонентную платформу, способную выдерживать огромные нагрузки и создавать уникальный опыт для игроков.


Що думаєте про цю статтю?
Голосів:
Файно є
Файно є
Йой, най буде!
Йой, най буде!
Трясця!
Трясця!
Ну такої...
Ну такої...
Бісить, аж тіпає!
Бісить, аж тіпає!
Loading comments...

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: