Новости

Специалисты SanDisk и Toshiba разработали новую технологию флэш-памяти

Специалисты SanDisk и Toshiba разработали новую технологию флэш-памятиНа международной конференции International Solid-State Circuits Conference, которая сейчас проходит в Сан-Франциско (США), компании SanDisk и Toshiba представили новую технологию флэш-памяти, благодаря которой емкость карт microSD может быть увеличена до 32 ГБ. Технология объединяет 32-нанометровый техпроцесс производства и так называемые ячейки памяти X3, каждая из которых способна хранить 3 бита информации. Для создания конечных продуктов будет применяться MLC NAND-флэш.

Также японские компании планируют использовать ячейки памяти X4 (одна хранит 4 бита информации) в производстве интегрируемых модулей флэш-памяти для портативных устройств. Скорость передачи данных у них не сильно увеличится по сравнению с существующими решениями – в среднем она составит 7,8 МБ/с, а емкость станет в 2 раза выше, чем у новейших чипов Toshiba, то есть 64 ГБ.

Начало массового производства чипов памяти с ячейками X3 запланировано на второй квартал этого года. Что касается новых интегрируемых модулей памяти, то дата их релиза пока не известна.


Завантаження коментарів...

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: