Micron, яка раніше представила чипи DDR5 місткістю 24 Гб, готується до масового виробництва мікросхем 32 Гб DDR5 та модулів більшої місткості у першій половині 2024 року. Компанія повідомила про це у рамках анонсу пам’яті HBM3 Gen2.

Монолітна 32 Гб схема пам’яті DDR5 від Micron вироблятиметься за техпроцесом Micron 1β (1-beta) – останнім, в якому не використовується літографія в екстремальному ультрафіолеті. Micron не розкриває швидкості передачі даних нових 32-гігабітних блоків. Чипи на 32 Гб відкривають можливість створення модулів DDR5 місткістю 1 ТБ. Але Micron не поспішає пропонувати пам’ять максимальної місткості та наступного року запропонує лише модулі на 128 ГБ.

Пам’ять HBM3 Gen2 Micron називає через загальну пропускну здатність 1,2 ТБ/с 8-рівневого стека максимальною місткістю 24 ГБ (схеми на 36 ГБ будуть представлені найближчим часом). Порівняно з попереднім поколінням, HBM2E, енергоефективність новинки збільшилась у 2,5 раза.

У дорожній карті компанії також є пам’ять HBMNex – ймовірна HBM4. Пам’ять наступного покоління забезпечить пропускну здатність 2+ ТБ/с та місткість до 64 ГБ у 2026 році.