Ученые-исследователи из Высшего технологического института Samsung (Samsung Advanced Institute of Technology, SAIT) вместе с коллегами из Ульсанского национального института науки и технологии (UNIST) и Кембриджского университета объявили об открытии нового многообещающего материала — аморфного нитрида бора (a-BN). По мнению исследователей, это открытие позволит ускорить появление полупроводниковой продукции следующего поколения. Статья с результатами исследования опубликована в журнале Nature.
С недавних пор лаборатория SAIT занимается исследованием и разработкой двумерных (2D) материалов — кристаллических материалов, состоящих из одного слоя атомов. Нашумевший графен, о котором уже давно не было никаких новостей, как раз является одним из таких материалов. Ученые разработали новый графеновый транзистор и метод производства монокристаллических пластин большой площади.
Новый материал, названный аморфным нитридом бора (a-BN), состоит из атомов бора и азота. Его получают из «белого графена» с гексагональной молекулярной структурой — атомы азота и бора выстроены в двумерную шестиугольную решетку. В то же время a-BN выделяется аморфной молекулярной структурой.
По словам Samsung, аморфный нитрид бора имеет лучшую в своем классе сверхнизкую диэлектрическую проницаемость 1,78 и характеризуется высокими электромеханическими свойствами, являясь идеальным изоляционным материалом для межсоединений. Также было продемонстрировано, что материал можно выращивать на пластинах при относительно низкой температуре 400°C. Ожидается, что аморфный нитрид бора найдет широкое применение в полупроводниковой продукции, такой как память DRAM и NAND, особенно в решениях следующего поколения для серверов.
Как обычно в таких случаях, о сроках коммерциализации разработки речь не идет.