Новости Новости 07.07.2020 в 11:26 comment

Исследователи Samsung открыли новый полупроводниковый материал

author avatar
https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/vova-96x96.jpeg *** https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/vova-96x96.jpeg *** https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/vova-96x96.jpeg

Владимир Скрипин

Заместитель главного редактора, руководитель отдела новостей

Ученые-исследователи из Высшего технологического института Samsung (Samsung Advanced Institute of Technology, SAIT) вместе с коллегами из Ульсанского национального института науки и технологии (UNIST) и Кембриджского университета объявили об открытии нового многообещающего материала — аморфного нитрида бора (a-BN). По мнению исследователей, это открытие позволит ускорить появление полупроводниковой продукции следующего поколения. Статья с результатами исследования опубликована в журнале Nature.

С недавних пор лаборатория SAIT занимается исследованием и разработкой двумерных (2D) материалов — кристаллических материалов, состоящих из одного слоя атомов. Нашумевший графен, о котором уже давно не было никаких новостей, как раз является одним из таких материалов. Ученые разработали новый графеновый транзистор и метод производства монокристаллических пластин большой площади.

Исследователи Samsung открыли новый полупроводниковый материал

Новый материал, названный аморфным нитридом бора (a-BN), состоит из атомов бора и азота. Его получают из «белого графена» с гексагональной молекулярной структурой — атомы азота и бора выстроены в двумерную шестиугольную решетку. В то же время a-BN выделяется аморфной молекулярной структурой.

По словам Samsung, аморфный нитрид бора имеет лучшую в своем классе сверхнизкую диэлектрическую проницаемость 1,78 и характеризуется высокими электромеханическими свойствами, являясь идеальным изоляционным материалом для межсоединений. Также было продемонстрировано, что материал можно выращивать на пластинах при относительно низкой температуре 400°C. Ожидается, что аморфный нитрид бора найдет широкое применение в полупроводниковой продукции, такой как память DRAM и NAND, особенно в решениях следующего поколения для серверов.

Как обычно в таких случаях, о сроках коммерциализации разработки речь не идет.

Курс QA Manual.
Отримайте персональну стратегію як стати QA Engineer та одержіть свій перший офер у $ уже через 6 місяців.
Інформація про курс

Источник: Samsung и Nature

Продолжается конкурс авторов ИТС. Напиши статью о развитии игр, гейминг и игровые девайсы и выигрывай профессиональный игровой руль Logitech G923 Racing Wheel, или одну из низкопрофильных игровых клавиатур Logitech G815 LIGHTSYNC RGB Mechanical Gaming Keyboard!


Loading comments...

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: