Новости
Подробности о платформе Qualcomm Snapdragon 830: 10-нм техпроцесс FinFET и поставки в начале 2017 года

Подробности о платформе Qualcomm Snapdragon 830: 10-нм техпроцесс FinFET и поставки в начале 2017 года

Подробности о платформе Qualcomm Snapdragon 830: 10-нм техпроцесс FinFET и поставки в начале 2017 года


Как мы знаем, компания MediaTek в настоящее время активно разрабатывает новую однокристальную систему MediaTek Helio X30 высшего уровня, которая составит конкуренцию новейшим SoC производства Samsung и Qualcomm. Последняя же, в свою очередь, трудится не поднимая головы над собственной флагманской SoC Snapdragon 830.

По последним данным, SoC Snapdragon 830 будет производиться по нормам 10-нм и станет доступна производителям смартфонов в начале следующего года. Официальный анонс Snapdragon 830 ожидается в конце этого года, тогда как первым устройством с использованием данной SoC станет смартфон Galaxy S8.

Предыдущие слухи указывали на то, что Qualcomm Snapdragon 830 спроектирован в расчете на изготовление с использованием 10-нанометрового техпроцесса FinFET, использует архитектуру Kyro 200, графику Adreno 540 и модем Snapdragon X16 LTE шестого поколения с поддержкой скорости передачи данных до 1 Гбит/с. Возможности Snapdragon 830 включают способность записывать видеоролики в разрешении 4Kх2K при 60 к/с и поддержку 8 ГБ оперативной памяти.

Источник: gizmochina


Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: