Новости
Samsung начала производство чипов памяти LPDDR3 емкостью 3 ГБ для мобильных устройств

Samsung начала производство чипов памяти LPDDR3 емкостью 3 ГБ для мобильных устройств


Samsung начала производство чипов памяти LPDDR3 емкостью 3 ГБ для мобильных устройств

Компания Samsung сообщила о начале серийного производства чипов памяти LPDDR3 (low power double data rate 3) DRAM емкостью 3 ГБ для мобильных устройств. Эти чипы памяти предназначены для смартфонов следующего поколения.

В чипе памяти для мобильных устройств LPDDR3 DRAM емкостью 3 ГБ используются шесть самых маленьких в индустрии 4-гигабитных чипов LPDDR3, изготовленных по технологии 20-нанометрового класса. Они составлены в симметричную структуру из двух групп по три чипа в каждой. Модуль имеет толщину всего 0,8 мм, что позволит создать тонкие смартфоны. При этом новинка обеспечивает скорость передачи данных до 2133 Мб/с на каждый контакт.

Чипы мобильной памяти LPDDR3 DRAM емкостью 3 ГБ начнут использоваться в наиболее современных смартфонах, начиная со второго полугодия 2013 года. С 2014 года они станут применяться в более широком перечне мобильных устройств.


Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: