Компания Samsung сообщила об успешном производстве чипов памяти стандарта DDR3, обладающих емкостью 4 ГБ. Такие продукты производятся по нормам 50-нанометрового технологического процесса, который также освоила компания Elpida.
Достижение такого показателя емкости позволит создавать модули памяти для ноутбуков и настольных компьютеров объемом 8 ГБ, что в два раза превышает нынешние возможности. Кроме того, производители смогут создавать регистровые модули памяти для серверов объемом 16 ГБ.
Также следует отметить, что новые чипы памяти отличаются пониженным энергопотреблением (на 20% по сравнению с чипами емкостью 2 ГБ) и тепловыделением. При этом скорость передачи данных одним чипом составляет 1,6 Гб/с.
Samsung пока не сообщает о сроках начала массового производства новых чипов памяти.