FinFET

У Samsung готов прототип 3-нанометровой микросхемы с использованием транзисторов GAAFET

Samsung уже через два года намерена начать производство 3-нанометровой продукции с использованием транзисторов GAAFET

IBM, Globalfoundries и Samsung представили первый в отрасли транзистор GAAFET для 5-нанометровых микросхем


AMD: будущие GPU будут носить имена звезд и галактик, а не островов

AMD Polaris – графическая архитектура следующего поколения

«Все идет по плану и даже лучше»: GlobalFoundries прокомментировала освоение 14-нм техпроцесса FinFET


Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: