TSMC подтвердила строительство завода в Японии и предупредила, что поставки чипов будут «ограниченными» на протяжении всего 2022 года
TSMC во время конференц-звонка с инвесторами, посвященного финансовым результатам прошедшего квартала, подтвердила недавние слухи о строительстве завода в Японии, сообщает Reuters.
Процессоры Intel Core оказались под угрозой запрета в Китае из-за патентного спора вокруг технологии FinFET
Intel не смогла оспорить в Китае патентные претензии касательно технологии FinFET — шестое слушание в комиссии по повторной экспертизе патентов Китая закончилось не в пользу американского…
Держись, Intel. Samsung удалось создать 3-нм кристалл памяти SRAM плотностью 256 Мбит с использованием транзисторов MBCFET
Об успехах в освоении следующего шага технологических норм (3 нм) и литографических технологий Samsung Foundry рассказала в рамках Международной конференции IEEE по твердотельным схемам (ISSCC) — там же…
Академия наук Китая обвинила Intel в незаконном использовании патента на технологию FinFET
Институт микроэлектроники Академии наук Китая обвинил компанию Intel в нарушении принадлежащего ему патента на технологию FinFET.
Samsung пропустит 4-нм техпроцесс и перейдёт сразу к 3-нанометровому производству чипов
Как ожидается, в августе этого года компания Samsung запустит массовое производство чипов по нормам 5-нанометрового технологического процесса. Первым устройством, изготовленным по нормам этого…
TSMC вложит $12 млрд в новый завод по выпуску 5-нм продукции в США
Крупнейший контрактный производитель полупроводниковой продукции Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) сообщила о намерении вложить $12 млрд в строительство новой полупроводниковой фабрики в…
300 млн на 1 мм2. Следующий техпроцесс TSMC N3 обеспечит повышение плотности размещения транзисторов в 1,7 раза
После публикации свежего квартального отчета TSMC раскрыла некоторые интересные подробности о 3-нм техпроцессе следующего поколения — N3 по внутренним спецификациям компании.
Samsung теперь планирует перейти на техпроцесс 3 нм в 2022 году. Для выпуска продукции будут использоваться транзисторы нового поколения MBCFET
TSMC, как известно, уже полностью развернула серийный выпуск 5-нанометровой продукции, но из-за пандемии отстанет от графика освоения следующего шага технологических норм (3 нм) как минимум на…
TSMC полностью развернула серийный выпуск 5-нанометровой продукции
Сразу несколько независимых тайваньских отраслевых источников сообщают, что крупнейший контрактный производитель полупроводниковой продукции Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC) развернул…
Digitimes: Samsung переносит начало серийного производства 3-нанометровой продукции на 2022 год
Samsung, как и многие другие производители, продолжает сталкиваться с негативными последствиями пандемии коронавируса, которая на момент написания этих строк унесла жизни более 82 000 человек по…
У Samsung готов прототип 3-нанометровой микросхемы с использованием транзисторов GAAFET
На сегодняшний день самым передовым техпроцессом для массового производства полупроводниковой продукции является 7-нанометровый. Его используют TSMC и Samsung для производства процессоров и…
Samsung уже через два года намерена начать производство 3-нанометровой продукции с использованием транзисторов GAAFET
Казалось бы, только недавно Samsung сообщила о начале серийного производства 7-нанометровой продукции с использованием EUV-литографии (технология 7LPP), ознаменовав начало новой эпохи в…
IBM, Globalfoundries и Samsung представили первый в отрасли транзистор GAAFET для 5-нанометровых микросхем
IBM вместе со своими партнерами по проекту Research Alliance — компаниями Globalfoundries и Samsung, а также поставщиками оборудования разработала первый в отрасли техпроцесс для изготовления транзисторов с…