Новини Технології 30.06.2025 о 13:57 comment views icon

Оксид індію замінює кремній у новому транзисторі японських вчених

author avatar

Олександр Федоткін

Автор новин та статей

Оксид індію замінює кремній у новому транзисторі японських вчених
Транзистор з кристалічного оксиду індію/Institute of Industrial Science, The University of Tokyo
Розділ Технології виходить за підтримки

Дослідники з Інституту промислових наук Токійського університету розробили потужний транзистор, замінивши кремній на кристалічний матеріал — оксид індію, легований галієм. 

Транзистор використовує конструкцію gate-all-around, у якій керуючий затвор повністю охоплює канал струму, дозволяючи електронам набувати високої рухливості і забезпечуючи довгострокову стабільність. За словами японських дослідників, оксид індію здатен створювати високовпорядковану кристалічну структуру, що дозволяє електричним зарядам рухатись більш ефективно.

«Ми також хотіли, щоб наш кристалічний оксидний транзистор мав структуру «gate-all-around», в якій затвор, що вмикає або вимикає струм, оточував канал, яким тече струм. Обернувши затвор повністю навколо каналу, ми можемо підвищити ефективність та масштабованість у порівнянні з традиційними затворами», — пояснює провідний автор дослідження Анлан Чен. 

Для того аби позбавитись дефектів у матеріалі з оксиду індію, які знижують стабільність, його легували галієм. Команда використовувала атомно-шарове осадження покриття області каналу транзистора навколо затвора тонкою плівкою з легованого галієм оксиду індію, по одному атомному шару за раз. 

Після осаждення плівку нагрівали для набуття нею кристалічної структури, необхідної для забезпечення підвищеної рухливості електронів. В результаті було створено металооксидний польовий транзистор з конструкцією gate-all-around. 

«Наш MOSFET gate-all-around, що містить шар оксиду індію, легованого галієм, досягає високої рухливості 44,5 м²/В·с. Що особливо важливо, пристрій демонструє перспективну надійність, стабільно працюючи при доданій напрузі протягом майже трьох годин. Фактично наш MOSFET перевершив аналогічні пристрої, про які повідомлялося раніше», — підкреслює доктор Анлан Чен. 

Дослідження є кроком до розробки надійних електронних компонентів високої щільності, які підходять для додатків з високими обчислювальними вимогами, таких як великі центри обробки даних та системи на базі штучного інтелекту. 

Джерело: Institute of Industrial Science; SciTechDaily

Розділ Технології виходить за підтримки

Favbet Tech – це ІТ-компанія зі 100% украі‌нською ДНК, що створює досконалі сервіси для iGaming і Betting з використанням передових технологіи‌ та надає доступ до них. Favbet Tech розробляє інноваційне програмне забезпечення через складну багатокомпонентну платформу, яка здатна витримувати величезні навантаження та створювати унікальний досвід для гравців.


Що думаєте про цю статтю?
Голосів:
Файно є
Файно є
Йой, най буде!
Йой, най буде!
Трясця!
Трясця!
Ну такої...
Ну такої...
Бісить, аж тіпає!
Бісить, аж тіпає!
Loading comments...

Повідомити про помилку

Текст, який буде надіслано нашим редакторам:

Я підтверджую те, що мені 21 рік або більше, і погоджуюсь з усіма політиками сайту ITC.ua