Ученые Массачусетского технологического института (MIT) усовершенствовали технологию нанолитографии, используемую в производстве чипов. Система SBIL (Scanning-Beam Interference Lithography) дает возможность наносить на кремниевую подложку решетку из линий шириной 25 нм, разделенных промежутками также по 25 нм.
На сегодняшний день в промышленном производстве чипов используется технология, обеспечивающая минимальное расстояние между проводниками в 65 нм. Недавно компания Intel объявила о начале производства в 2009 г. чипов с 32-нм детализацией. А переход к 25-нм техпроцессу ожидается в 2013-2015 гг.
SBIL это высокоточная модификация метода интерференционной литографии, использующая созданную в MIT, так называемую нанолинейку (nanoruler). Эта технология основана на применении звуковых волн с частотой 100 МГц, управляемых быстродействующей электроникой, чтобы вызывать дифракцию и смещение частоты лазерного света. Результатом стала возможность наносить повторяющиеся рисунки на большие участки кремниевой подложки с недостижимой ранее точностью. Контроль за процессом осуществлялся с помощью разработанных в MIT методов фазовой детекции и обращения изображения (image reversal).
Новая технология привлекательна тем, что не требует применения химически усиленных фоточувствительных материалов (резистов), методов иммерсионной литографии и дорогостоящего оборудования. По мнению ученых, она сделает возможным коммерциализацию многих инноваций в области нанотехнологий, так и оставшихся на уровне лабораторных исследований из-за отсутствия жизнеспособных производственных методик.
Исследования проводились при финансовой поддержке NASA и NSF. Их результаты были представлены на 52 международной конференции по электронным, ионным и фотонным лучевым технологиям и нанопроизводству (International Conference on Electron, Ion and Photon Beam Technology and Nanofabrication) в г. Портленд (США) и будут опубликованы в журнале Optics Letters.
Источник: "Компьютерное обозрение"