Новости

Samsung начинает серийное производство чипов памяти DDR3 емкостью 4 Гб

Samsung начинает серийное производство чипов памяти DDR3 емкостью 4 Гб

Компания Samsung объявила о начале серийного производства новых чипов памяти DDR3 емкостью 4 Гб, созданных на основе 20-нанометрового технологического процесса. Новинки предназначены для использования в широком диапазоне вычислительных решений.

При создании чипов DDR3 DRAM была использована доступная иммерсионная ArF-литография (литография с использованием эксимерных лазеров на фториде аргона, работающих в диапазоне жесткого ультрафиолета). Подобные технологии производства позволяют создавать 4-гигабитные чипы памяти на основе 20-нанометрового техпроцесса.

Производство чипов памяти DRAM, в которых каждая ячейка состоит из связанных между собой транзистора и конденсатора, является намного более сложным процессом по сравнению с производством чипов NAND Flash, в ячейках которых находится по одному транзистору. Для продолжения выпуска передовых модулей DRAM памяти Samsung усовершенствовал концепцию дизайна и производства, использовал технологии двойного шаблона и осаждения атомных слоев.

Также отмечается, что чипы памяти, использующие фотолитографические технологии, станут основой для следующего поколения DRAM продуктов 10-нанометрового класса. К тому же, при производстве чипов памяти DDR3 на основе 20-нм техпроцесса были успешно созданы однородные ультратонкие диэлектрические слоя клеточных конденсаторов, что привело к значительному увеличению производительности каждой ячейки.

Производитель заявляет повышении эффективности производства на 30% по сравнению с выпуском предыдущего поколения чипов памяти DDR3 на основе 25-нанометрового техпроцесса. Если же сравнивать с выпуском чипов DDR3 на базе технологии 30-нанометрового класса, то прирост эффективности производства достигает более чем 2-кратного значения. Помимо этого, новые 4-гигабитные чипы памяти DDR3 позволяют экономить до 25% потребляемой энергии по сравнению с равноценными чипами памяти, созданными на основе 25-нанометрового техпроцесса.

«Новый энергоэффективный модуль памяти DDR3 DRAM от Samsung, который создан на основе 20-нанометрового техпроцесса, сможет завоевать большую популярность в разных сегментах рынка ИТ (включая рынки ПК и мобильных устройств), – отметил Ян Хен Чжун (Young-hyun Jun), исполнительный вице-президент департамента маркетинга и продаж устройств памяти компании Samsung Electronics.– Наша компания продолжит поставлять чипы памяти DRAM нового поколения, а также «зеленые» экологичные решения в области памяти (green memory solutions), оставив позади конкурентов, одновременно способствуя росту мирового ИТ-рынка в тесном сотрудничестве с нашими клиентами и партнерами».


Завантаження коментарів...

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: