Компании Sony и Micron представили на мероприятии IEDM 2014 опытный образец чипа памяти ReRAM (RRAM), обладающий емкостью 16 Гбит. Следует отметить, что разработкой чипа выступала компания Sony, а Micron выступила в качестве производственного партнера.
Чип памяти RRAM емкостью 16 Гбит изготавливается по нормам 27-нанометрового технологического процесса. Устройство обеспечивает скорость чтения данных на уровне 900 МБ/с при задержках 2,3 мкс. Это несколько хуже расчетного результата — 1000 МБ/с при задержках 2 мкс. Фактическая скорость записи данных составила 180 МБ/с (расчетная скорость записи — 200 МБ/с) при задержках 11,7 мкс (расчетные задержки — 10 мкс).
Несмотря на некоторые отличия фактических скоростных показателей работы чипа от расчетных цифр, можно говорить, что продукт является, фактически, законченным и может использоваться в составе готовых устройств. Однако, Sony и Micron пока не уточняют сроков начала массового производства новых чипов памяти. Следует отметить, что память RRAM использует тот же интерфейс, что и память DDR DRAM. Это позволит повысить ее совместимость и достаточно быстро приступить к ее внедрению.
