Новости
«Спасти закон Мура»: создан транзистор с затвором длиной всего 1 нм

«Спасти закон Мура»: создан транзистор с затвором длиной всего 1 нм

«Спасти закон Мура»: создан транзистор с затвором длиной всего 1 нм


На страницах нашего сайта мы достаточно часто вспоминаем о «законе» Мура, постулирующем регулярное (каждые два года) удвоение плотности размещения элементов в интегральных схемах, которое приводит к улучшению их потребительских характеристик.

В большинстве своем – это заметки, связанные с теми или иными достижениями, которые либо продлевают жизнь этому негласному принципу, отметившему в прошлом году свое 50-летие, либо касаются перспективных разработок, метящих на его место (из последних – новость о теории хаоса). Здесь же речь пойдет о новом достижении ученых из Национальной лаборатории имени Лоуренса при Калифорнийском университете в Беркли (UCB). Им удалось то, что до недавнего времени считалось принципиально невозможным, а именно – «создать самый маленький в истории транзистор с затвором длиной в 1 нанометр». Отметим, что сейчас на рынке в основном распространены транзисторы с затвором длиной в 20 нм. Да, вы все правильно поняли, это значит, что «закон» Мура, который за последние время хоронили бесчисленное количество раз, еще поживет.

Исследование опубликовано в журнале Science, кратко о нем сообщает источник.

transistor_schematic670

Ключом к успеху, как и в случае с прошлогодним инженерным прорывом IBM, стало применение углеродных нанотрубок. Справедливости ради отметим, что углеродные нанотрубки далеко не единственный весьма экзотический и дорогостоящий материал, используемый исследователями для достижения этого результата. Исследователи также использовали дисульфид молибдена (MoS2), без которого вряд ли стал бы возможен этот прорыв. Дело в том, что с каждым шагом уменьшения норм становится все труднее удерживать контроль над передачей электронов – из-за больших утечек транзисторы попросту перестают работать. Именно слой дисульфид молибдена позволил исследователям обойти это ограничение. При прохождении через него электроны «тяжелеют», что позволяет использовать меньшую длину затвора, вплоть до 1 нм.

transistor_tem-cross670

Вне всяких сомнений, это очень важное достижение, но исследователи UCB явно лукавят, говоря, что никому прежде не удавалось преодолеть порог в 5 нм. Как отмечает источник, в 2008 году ученые Университета Манчестера использовали графен для создания 1-нм транзистора, а два года до этого корейские ученые применили технологию FinFET для создания транзистора с длиной канала в 3 нм. Так или иначе, опасающиеся за дальнейшую судьбу закона Мура могут спать спокойно, он еще поживет.

Источник: Engadget


Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: