HBM2E

SK Hynix анонсировала память HBM3 с рекордной пропускной способностью — 819 ГБ/с

Южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix сообщил об успешной разработке микросхем буферной памяти HBM3 с рекордной в отрасли пропускной способностью.…

20.10.2021

Micron анонсировала HBMnext — следующее поколение высокоскоростной памяти HBM

Micron Technology на днях анонсировала следующее поколение памяти HBM под названием HBMnext. К сожалению, анонс пока сугубо номинальный. HBMnext не раскрыла…

17.08.2020

SK Hynix начала массовое производство высокоскоростной памяти HBM2E

Южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix объявил о начале массового производства памяти DRAM HBM2E с самой высокой в ​​отрасли пропускной…

03.07.2020

JEDEC обновила стандарт памяти HBM2, а Samsung готовит к серийному выпуску модули памяти HBM2E третьего поколения

В конце прошлого месяца комитет JEDEC опубликовал обновлённую версию стандарта памяти HBM2. В спецификацию была добавлена поддержка ещё более высоких…

05.02.2020

SK Hynix сообщила о разработке памяти HBM2E с пропускной способностью 460 ГБ/с

Компания SK Hynix сегодня объявила о завершении разработки памяти DRAM HBM2E с самой высокой в ​​отрасли пропускной способностью. По сравнению с памятью…

12.08.2019