Новини Пристрої 03.03.2023 о 11:05 comment views icon

SSD на 300 ТБ: Pure Storage обіцяє модулі DirectFlash Module у 2026 році

author avatar
https://itc.ua/wp-content/uploads/2023/11/photo_2023-11-12_18-48-05-3-96x96.jpg *** https://itc.ua/wp-content/uploads/2023/11/photo_2023-11-12_18-48-05-3-96x96.jpg *** https://itc.ua/wp-content/uploads/2023/11/photo_2023-11-12_18-48-05-3-96x96.jpg

Андрій Русанов

Автор сайту

Виробник пам’яті Pure Storage очікує, що максимальна місткість SSD з модулями DirectFlash Module (DFM) за кілька років збільшиться у шість разів і досягне 300 ТБ. Компанія очікує підвищення щільності запису 3D NAND шляхом збільшення кількості шарів та інших факторів, які дозволять досягти значного приросту місткості. Місткість твердотілих накопичувачів для ПК теж зросте, але не так різко.Pure Storage обещает 300 ТБ SSD DirectFlash Module в 2026 году

«На найближчі кілька років ми плануємо вивести конкурентоспроможність наших накопичувачів на абсолютно новий рівень, — говорить Алекс Макмаллан, технічний директор Pure Storage. — Сьогодні ми надсилаємо пристрої DFM місткістю 24 ТБ та 48 ТБ. Ви можете очікувати на ряд анонсів на нашій конференції Accelerate про створення більш містких накопичувачів місткістю 300 ТБ до 2026 року або раніше».

Запатентовані SSD Pure Storage DirectFlash Module застосовуються виключно у системах зберігання даних FlashArray та FlashBlade. Пристрої DFM використовують стандартне підключення U.2 NVMe, але вони є сумісними лише з конкретним обладнанням. Модулі працюють з контролерами SSD корпоративного рівня, з прошивкою, що повністю настроюється, а також компонування пам’яті 3D TLC або 3D QLC NAND, також, ймовірно, компанія використовує ряд власних технологій для збільшення місткості.

Pure Storage обещает 300 ТБ SSD DirectFlash Module в 2026 году

Існує кілька способів збільшити місткість SSD Pure DFM у шість разів за три роки, але це буде непросто. Найочевидніший – використовувати складніші мікросхеми 3D NAND. Нині компанія використовує пристрої 3D NAND з числом шарів від 112 до 160, тоді як, за її твердженнями, у найближчі п’ять років кількість активних шарів збільшиться до 400-500, говорить Pure, що збільшить місткість мікросхем 3D NAND.

«У всіх провідних постачальників є план і шлях досягнення 400-500 шарів протягом наступних п’яти років», — стверджує Макмаллан.

Виробники 3D NAND випускають нові покоління своїх пристроїв (тобто збільшують кількість активних шарів) кожні два роки. Цього року вони мають намір збільшити виробництво пам’яті 3D NAND з 200 шарами, у 2025 році очікується випуск пам’яті з 300 шарами, 400 шарів будуть доступними у 2027 році. Тому для досягнення заявленої Pure Storage місткості потрібні й інші технології.

Онлайн курс UI/UX Design Pro від Ithillel.
Навчіться проєктувати інтерфейси з урахуванням поведінки користувачів, розв'язувати їх проблеми через Customer Journey Mapping, створювати дизайн-системи і проводити дослідження юзабіліті, включаючи проєктування мобільних додатків для Android та iOS і розробку UX/UI на основі даних!
Дізнатися більше

Pure Storage обещает 300 ТБ SSD DirectFlash Module в 2026 году

Наявні DFM можуть містити обмежену кількість пакетів 3D NAND. SSD Pure Storage може використовувати пакети, в яких міститься більше пристроїв 3D NAND (для чого будуть потрібні контролери, здатні з ними працювати), або збільшити кількість пакетів. Можливо, компанія проллє більше світла за свої технології під час заходу Accelerate.

3D NAND: прорыв памяти в трёхмерное пространство

Джерело: Tom’s Hardware


Loading comments...

Повідомити про помилку

Текст, який буде надіслано нашим редакторам: