Новости Технологии 13.10.2010 в 11:56 comment

Elpida и Sharp обещают к 2013 году память ReRam, которая быстрее NAND в 10 тыс раз

author avatar

ITC.UAСтажер

Репутація Наднизька

Раздел Технологии выходит при поддержке

Японские компании Elpida Memory и Sharp вместе будут работать над следующим поколением чипов памяти, которое появится в 2013 году. ReRam (resistive random access memory) будет потреблять меньше энергии и сможет записывать данные в 10 тыс раз быстрее, чем существующая NAND flash память, применяемая сейчас в большинстве мобильных устройств.

Согласно спецификациям, применение ReRam позволит записывать в память HD фильм буквально за несколько секунд (что потребует вероятно и нового интерфейса передчи данных, поскольку USB 3.0 может обеспечить теоретически около 625 МБ/с). ReRam также снизит потребление энергии в режиме простоя практически до нуля.

К разработке новой памяти также присоединятся  National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, University of Tokyo и некоторые другие производители чипов.

Запуск массового производства, которое скорее всего будет лежать на плечах Elpida, намечен на самое начало 2013 года.

Конкуренты в лице Toshiba и Samsung также работают над альтернативными видами памяти. В частности Samsung разрабатывает PRAM (phase-change random access memory ) и MRAM (magnetoresistive random access memory).

Раздел Технологии выходит при поддержке

Favbet Tech – это IT-компания со 100% украинской ДНК, которая создает совершенные сервисы для iGaming и Betting с использованием передовых технологий и предоставляет доступ к ним. Favbet Tech разрабатывает инновационное программное обеспечение через сложную многокомпонентную платформу, способную выдерживать огромные нагрузки и создавать уникальный опыт для игроков.


Що думаєте про цю статтю?
Голосів:
Файно є
Файно є
Йой, най буде!
Йой, най буде!
Трясця!
Трясця!
Ну такої...
Ну такої...
Бісить, аж тіпає!
Бісить, аж тіпає!
Loading comments...

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: