Cообщество производителей микросхем во главе с IBM представило новый чип, произведенный по 32-нанометровой технологии и превосходящий современные стандарты по производительности и энергосбережению. В создании нового образца принимали участие компании Chartered, Freescale, Infineon, Samsung, STMicroelectronics и Toshiba.
Чип на пластине диаметром 300 мм с использованием нового материала"high-k/metal gate" (HKMG) был изготовлен на заводе IBM в г. Ист Фишкилл (East Fishkill), штат Нью-Йорк, США. По оценке разработчиков, производительность новой микросхемы на 35% выше, чем у современных 45-нанометровых образцов, а энергопотребление на 30–50% ниже, в зависимости от рабочего напряжения. Кроме того, испытания с применением тестового чипа и стандартных микропроцессоров показывают, что использование HKMG материалов (вместо обычных Poly/SiON) позволяет повысить производительность до 40% при одинаковых уровнях детализации.
Представители альянса Common Platform — IBM, Chartered и Samsung — первыми среди OEM начнут прототипирование чипов HKMG 32 нм в III квартале 2008 г. Доступный уже сейчас конструкторский пакет обеспечивает дальнейшее совершенствование технологии до уровня 28 нм. Проведенные в лаборатории г. Олбани (Нью-Йорк) тесты показывают, что HKMG-материалы в перспективе применимы для устройств с детализацией 22 нм.
Источник: "Компьютерное обозрение"
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: