Компании Hewlett Packard и Xtreme Energetics (XE) договорились о совместной разработке солнечных батарей, которые будут вдвое эффективнее по выработке энергии и стоить меньше по сравнению с существующими системами. В рамках этого сотрудничества НР лицензирует XE свою патентованную технологию производства прозрачных транзисторов (transparent transistor). Xtreme Energetics расположена в Ливерморе (штат Калифорния) и специализируется на оборудовании для производства солнечной энергии.
Тонкопленочные прозрачные транзисторы, которые будут использованы в солнечный батареях ХЕ, созданы НР совместно с университетом штата Орегон и производятся из дешевых и легкообрабатываемых материалов, таких как цинк и олово. Они безвредны для окружающей среды, имеют лучшую химическую стабильность и не сложны в производстве.
Транзисторы НР дополнят систему улавливания света от ХЕ, что позволит захватывать и эффективно перерабатывать максимальное количество солнечного света, т.к. он не будет блокироваться непрозрачными электронными схемами. Система слежения ХЕ не нуждается в механическом перемещении за Солнцем, а технологии НР позволят размещать батарею на любом материале или поверхности.
Источник: "Компьютерное обозрение"
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: