Intel Foundry представила перший в світі чиплет з нітриду галію — Intel Foundry

Intel Foundry створила найтонший у світі чіплет на основі нітриду галію.

Зазначається, що завтовшки він усього 19 мкм. Розробка дозволяє значно підвищити потужність, швидкість та ефективність у компактному корпусі. Перший у світі чиплет на основі GaN, виготовлений на 300 нм кремнієвих пластинах закладає основу наступного етапу розвитку напівпровідників.

Дослідникам з Intel Foundry вдалось об’єднати транзистори на основі GaN з традиційними мікросхемами на кремнієвій основі на одному чипі. Це дозволяє інтегрувати складні обчислювальні функції безпосередньо в енергоощадні мікросхеми без необхідності використання окремих допоміжних мікроконтролерів.

Випробування підтверджують, що нова технологія чіплетів на основі GaN — перспективна альтернатива традиційним методам. Це дозволить створювати компактніші та ефективніші електронні пристрої для датацентрів та мереж зв’язку 5G та 6G.

Розробка вирішує давню проблему напівпровідникової промисловості — забезпечення більшої потужності, швидкості та ефективності у компактному формфакторі. Базовий кремнієвий шар революційного чіплета складає усього 19 мкм. Чіплет також включає перші у світі повністю монолітні цифрові контролери на кристалі, створені з використанням єдиного інтегрованого виробничого процесу.

Потреба цієї розробки обумовлена фундаментальною проблемою в електроніці: необхідністю розмістити більше потужностей у компактному форматі з одночасним більшим енергетичним навантаженням та вищою швидкістю передачі даних.

Традиційні кремнієві технології наближаються до власної фізичної межі. Intel Foundry поєднує надтонкий чіплет з вбудованими цифровими мікросхемами без необхідності в окремому чіплеті з меншими втратами енергії під час передачі сигналів.

За використання в обладнанні для датацентрів чіплети на основі GaN здатні швидше перемикатись, бути більш енергоефективними за кремнієві аналоги. Це дозволить створювати менші за розмірами стабілізатори напруги, більш ефективні та розміщені ближче до процесорів. Це дозволить значно знизити резистивні енергетичні втрати, що виникають на довгих шляхах передачі живлення.

В інфраструктурі бездротових мереж зв’язку високочастотні характеристики транзисторів GaN роблять їх перспективними для використання у радіочастотних технологіях, наприклад, базових станцій 5G та 6G.

Здатність GaN ефективно працювати на частотах, що перевищують 200 ГГц, робить його хорошим вибором для сантиметрового та міліметрового діапазонів, на яких базуватимуться мережі наступного покоління.

Ширша заборонена зона GaN потенційно дозволяє йому працювати при вищих температурах із більшою стабільністю, зменшуючи втрати потужності під час перемикання та забезпечуючи ефективніше регулювання теплового режиму, що, своєю чергою, зменшує розміри та вартість систем охолодження.

Раніше ми писали, що Intel готує процесор із графікою NVIDIA RTX: що відомо про Serpent Lake. Водночас Intel готується до випуску лінійки процесорів Nova Lake-S. За інсайдерською інформацією, двоблокова конфігурація з 42 ядрами отримає 2 додаткові ядра.