Samsung анонсировала терабитный чип V-NAND, позволяющий создавать SSD высокой ёмкости

Samsung анонсировала терабитный чип V-NAND, позволяющий создавать SSD высокой ёмкости

Компания Samsung подготовила к выпуску первый чип памяти V-NAND (Vertical NAND), обладающий ёмкостью 1 Тбит. Такой чип представляет собой структуру с вертикально размещёнными стеками, что позволяет повысить плотность хранения данных по сравнению с традиционными 2D решениями.

Благодаря использованию данных чипов памяти V-NAND, компания Samsung намерена вывести на рынок новые твердотельные накопители высокой ёмкости. Так, объединив 16 подобных микросхем в одной упаковке, можно создать решение ёмкостью 2 ТБ для высокоёмких систем хранения данных. Такие SSD смогут более успешно конкурировать с традиционными жёсткими дисками в плане ёмкости, предлагая более высокую производительность.

Анонсированные чипы памяти появятся в составе готовых потребительских устройств уже в следующем году. Они могут применяться в широком перечне продуктов: смартфонах, цифровых камерах, ноутбуках, компьютерах и др.

Источник: Engadget