Новости
Глава Intel признал, что задержка с выпуском 10-нанометровой продукции — следствие чрезмерной самоуверенности компании

Глава Intel признал, что задержка с выпуском 10-нанометровой продукции — следствие чрезмерной самоуверенности компании

Глава Intel признал, что задержка с выпуском 10-нанометровой продукции — следствие чрезмерной самоуверенности компании


Не секрет, что корпорация Intel сейчас переживает своего рода кризис из-за постоянных проблем безопасности и трудностей с освоением более тонких технологических норм. Собственно, недавно «синие» признали успехи «красных» и превосходство процессоров AMD Matisse над Intel Core 9-го поколения. А недавние дорожные карты говорят, что ситуация с 10-нанометровым техпроцессом весьма плачевная — настольные процессоры Ice Lake в лучшем случае выйдут только в третьем квартале 2020 года. И вот сейчас новоиспеченный генеральный директор Intel Боб Свон назвал истинную причину неудач компании. Оказывается, компанию Intel подвело то, что она выбрала «слишком агрессивный» подход к сохранению темпа освоения новых технологических норм. Соответствующее заявление он сделал на недавней конференции Brainstorm Tech, организованной Fortune.

Как объяснил Боб Свон, вместо того, чтобы идти привычным путем и повышать плотность размещения транзисторов вдвое каждые два года, инженеры Intel на очередном этапе освоения более тонких технологических норм замахнулись на прирост в 2,7 раза, шагнув от 14 нм к 10 нм. Результатом стала пятилетняя задержка выпуска 10-нанометровой продукции. Иными словами, Intel попыталась прыгнуть выше головы. И именно чрезмерная самоуверенность привела к столь печальному исходу.

Здесь уместно будет вспомнить как два года назад Intel гордо заявляла, что их 10-нанометровый техпроцесс на целое поколение опережает 10-нанометровые технологии конкурентов, призывая последних покончить с дутыми наномерами. Но то, что сейчас Intel признает ошибки в целом хороший знак.

Гендиректор Intel сообщил, что на следующем этапе компания вернется к прежнему темпу, пообещав, что через два года начнется выпуск 7-нанометровой продукции, которая по плотности размещения транзисторов вдвое превзойдет 10-нанометровую. Разработка технологии уже идет полным ходом. Полное интервью вы можете посмотреть по ссылке источника ниже.

Источник: Fortune


Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: