Как сообщалось ранее, компании Samsung и Micron намерены совместно продвигать память DRAM HMC (Hybrid Memory Cube). Теперь же компании IBM и Micron анонсировали начало сотрудничества по производству устройств памяти Hybrid Memory Cube на базе технологии IBM TSV (through-silicon via). Отмечается, что данная технология изготовления чипов памяти позволит обеспечить скорость работы нового типа памяти, которая на порядок превосходит возможности современных аналогов.
В рамках анонсированного сотрудничества IBM будет заниматься изготовлением памяти Hybrid Memory Cube на своей полупроводниковой фабрике в городе East Fishkill, штат Нью-Йорк. При этом, производство будет осуществляться по нормам 32-нанометрового технологического процесса HKMG (High-K Metal Gate — диэлектрик с высокой диэлектрический константой и транзисторы с металлическим затвором).
Согласно имеющейся информации, память Hybrid Memory Cube способна обеспечить скорость передачи данных на уровне 128 ГБ/с, что, приблизительно, в 10 раз превосходит возможности лучших современных модулей памяти. При этом новый вид памяти потребляет на 70% меньше энергии при передаче данных. Еще одним значительным преимуществом памяти Hybrid Memory Cube является ее малый размер, она занимает лишь 10% площади традиционных решений хранения данных. Все указанные преимущества позволят значительно повысить производительность подсистемы памяти. Первоначально память Hybrid Memory Cube планируется применять в производительных серверах и индустриальных компьютерных системах, но со временем она появится и в компьютерных системах потребительского уровня.