Компания Samsung сообщила о выпуске новых модулей памяти стандарта DDR3 DRAM (dynamic random‐access memory), предназначенных для модернизации подсистемы памяти настольных и мобильных компьютеров. Данные новинки отличаются высокой производительностью при незначительном потреблении энергии.
Новые модули памяти Samsung основаны на чипах, которые изготавливаются по нормам 30-нанометрового технологического процесса. Емкость модулей может составлять 2 или 4 ГБ. Они доступны в виде устройств VLP UDIMM (very low profile unbuffered dual in‐line memory module) для настольных компьютеров и SODIMM (small outline dual in‐line memory module) для ноутбуков. Модули памяти поступят на рынок в виде отдельных устройств, а также в виде двухканальных комплектов. Представленные модели работают на частоте 1600 МГц, что на 20% больше, чем сходные устройства, основанные на чипах, изготовленные по нормам 40-нанометрового технологического процесса. При этом уровень их энергопотребления снижен на 2/3 по сравнению с моделями, изготовленными на базе чипов памяти, основанных на 60-нанометровом технологическом процессе.
По имеющейся информации, новые экономичные модули памяти Samsung DDR3 поступят в продажу на территорию США летом этого года по цене до $30 и $55 за отдельные модули емкостью 2 и 4 ГБ, а также по цене до $55 и $110 за комплекты емкостью 4 и 8 ГБ, соответственно. Информация о сроках начала продаж и уровне цен новинок в Украине пока не сообщается.