Южнокорейская компания Hynix Semiconductor заявила о разработке компонентов памяти GDDR5 (Graphics Double Data Rate version 5) емкостью 1 Gb. Напомним, что первое сообщение о выпуске чипов GDDR5 поступило от немецкой Qimonda AG, однако представленные этой компанией модули имели емкость 512 Mb.
Пропускная способность компонентов Hynix GDDR5 составляет 5 Gbps — по данным производителя, это в два раза больше, чем у чипов GDDR3, наиболее распространенных в современных видеокартах. Кроме того, модули нового стандарта памяти обладают меньшими размерами и пониженным энергопотреблением по сравнению с GDDR3.
К серийному выпуску чипов GDDR5 1 Gb на основе 66 нм технологии производства Hynix планирует приступить в первой половине 2008 года. Появление видеокарт топ-класса, оборудованных модулями памяти нового поколения, ожидается во втором полугодии.