Инженеры университета Лондона предложили технологию использования ультрафиолета для получения слоя диоксида кремния при производстве полупроводниковых микросхем. Обычно для этого используется специальный отжиг.
Пленка диоксида кремния выступает в качестве подложки для нанесения литографическим способом проводящих дорожек и одновременно, как активный затвор слоя транзисторов. Диоксид образуется в процессе взаимодействия кислорода из воздуха с кремнием, однако этот процесс очень продолжительные и для его ускорения производители используют специальный отжиг при температуре 1000 градусов. Однако это процедура естественно не очень экологична, да и к тому же весьма энергозатратна.
Так вот ученые колледжа лондонского университета предложили использование специальной процедуры на основе ультрафиолетового облучения в специальном спектре. Она проводится практически при комнатной температуры, не требует больших затрат энергии, а следовательно дешева и к тому же не загрязняет окружающую среду.
Сообщается, что уже ведутся переговоры с несколькими производителям полупроводников и новая технология будет внедрена в ближайшие несколько лет.