Новости Новости 17.07.2018 в 20:03 comment

Samsung анонсировал новую 10 нм ОЗУ для смартфонов LPDDR5 (8 ГБ) со скоростью 6400 Мбит/с и на 30% меньшим энергопотреблением

author avatar
https://secure.gravatar.com/avatar/25f9b2416da07639967e18eb989e71c4?s=96&r=g&d=https://itc.ua/wp-content/uploads/2023/06/no-avatar.png *** https://secure.gravatar.com/avatar/25f9b2416da07639967e18eb989e71c4?s=96&r=g&d=https://itc.ua/wp-content/uploads/2023/06/no-avatar.png *** https://itc.ua/wp-content/themes/ITC_6.0/images/no-avatar.svg

Компания Samsung Electronics анонсировала скорый выход первых в индустрии модулей оперативной памяти LPDDR5 DRAM, выполненных по 10 нм техпроцессу. Новые ОЗУ планируется использовать в смартфонах с поддержкой 5G-сетей и искусственного интеллекта, чтобы обеспечить более высокую скорость и автономность.

Модули 8Gb LPDDR5 дополнят существующую линейку DRAM-памяти, в состав которой уже входят 10 нм модули 16 Gb GDDR6 DRAM (в производстве с декабря 2017 года) и 16 Gb DDR5 DRAM (в производстве с февраля 2018 года).

Модули памяти LPDDR5 обеспечивают скорость передачи данных на уровне до 6400 Мбит/с, что в 1,5 раза быстрее, чем у чипов текущего поколения, которые используются в актуальных флагманских смартфонах (LPDDR4X, 4266 Мбит/с). Благодаря росту скорости, новая память способна передавать до 51,2 ГБ данных в секунду, что соответствует 14 видеофайлам в качестве Full HD размером 3,7 ГБ каждый. Новые чипы смогут работать в двух скоростных режимах — полноценном 6400 Мбит/с при напряжении питания 1,1 В или же более экономичном 5500 Мбит/с при напряжении питания 1,05 В.

Samsung анонсировал новую 10 нм ОЗУ для смартфонов LPDDR5 (8 ГБ) со скоростью 6400 Мбит/с и на 30% меньшим энергопотреблением

Модули памяти смогут самостоятельно снижать потребление энергии с учетом текущих требований центрального процессора к скорости передачи данных. Чипы LPDDR5 также поддерживают режим глубокого сна («deep sleep mode») при котором потребление снижается вдвое по сравнению с режимом ожидания («idle mode») актуальных чипов LPDDR4X. Благодаря этому, а также целому ряду других архитектурных решений, суммарное энергопотребление памяти LPDDR5 примерно на 30% меньше, чем у модулей предыдущего поколения.

В Samsung Electronics отметили, что специалисты компании полностью завершили функциональное тестирование и проверку прототипов микросхем LPDDR5 DRAM емкостью 8 ГБ, состоящей из 8 чипов 8Gb LPDDR5. Массовое производство этих микросхем стартует на фабриках компании в Пхёнтхэке (Южная Корея) после получения соответствующих заказов от крупных игроков сегмента. По всей видимости, ожидать новые микросхем ОЗУ дебютируют в свежих смартфонах самой Samsung, а также, возможно, Apple.

Напомним, что недавно Samsung начала массовое производство чипов памяти V-NAND пятого поколения для смартфонов и суперкомпьютеров. Также ожидается, что Samsung и ARM скоро выпустят 7 нм мобильные процессоры Cortex-A76 с рабочей частотой от 3,0 ГГц и выше.

Курс Business English для фінансистів.
Навчіться на практиці, як підбирати доречний tone of voice для спілкування з топменеджментом, колегами та клієнтами. Опануй англійську для фінансистів.
Дізнатись про курс

Источник: Samsung

Продолжается конкурс авторов ИТС. Напиши статью о развитии игр, гейминг и игровые девайсы и выигрывай профессиональный игровой руль Logitech G923 Racing Wheel, или одну из низкопрофильных игровых клавиатур Logitech G815 LIGHTSYNC RGB Mechanical Gaming Keyboard!


Loading comments...

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: