Новости
Samsung анонсировал новую 10 нм ОЗУ для смартфонов LPDDR5 (8 ГБ) со скоростью 6400 Мбит/с и на 30% меньшим энергопотреблением
24

Samsung анонсировал новую 10 нм ОЗУ для смартфонов LPDDR5 (8 ГБ) со скоростью 6400 Мбит/с и на 30% меньшим энергопотреблением

Samsung анонсировал новую 10 нм ОЗУ для смартфонов LPDDR5 (8 ГБ) со скоростью 6400 Мбит/с и на 30% меньшим энергопотреблением

Компания Samsung Electronics анонсировала скорый выход первых в индустрии модулей оперативной памяти LPDDR5 DRAM, выполненных по 10 нм техпроцессу. Новые ОЗУ планируется использовать в смартфонах с поддержкой 5G-сетей и искусственного интеллекта, чтобы обеспечить более высокую скорость и автономность.

Модули 8Gb LPDDR5 дополнят существующую линейку DRAM-памяти, в состав которой уже входят 10 нм модули 16 Gb GDDR6 DRAM (в производстве с декабря 2017 года) и 16 Gb DDR5 DRAM (в производстве с февраля 2018 года).

Модули памяти LPDDR5 обеспечивают скорость передачи данных на уровне до 6400 Мбит/с, что в 1,5 раза быстрее, чем у чипов текущего поколения, которые используются в актуальных флагманских смартфонах (LPDDR4X, 4266 Мбит/с). Благодаря росту скорости, новая память способна передавать до 51,2 ГБ данных в секунду, что соответствует 14 видеофайлам в качестве Full HD размером 3,7 ГБ каждый. Новые чипы смогут работать в двух скоростных режимах — полноценном 6400 Мбит/с при напряжении питания 1,1 В или же более экономичном 5500 Мбит/с при напряжении питания 1,05 В.

Модули памяти смогут самостоятельно снижать потребление энергии с учетом текущих требований центрального процессора к скорости передачи данных. Чипы LPDDR5 также поддерживают режим глубокого сна («deep sleep mode») при котором потребление снижается вдвое по сравнению с режимом ожидания («idle mode») актуальных чипов LPDDR4X. Благодаря этому, а также целому ряду других архитектурных решений, суммарное энергопотребление памяти LPDDR5 примерно на 30% меньше, чем у модулей предыдущего поколения.

В Samsung Electronics отметили, что специалисты компании полностью завершили функциональное тестирование и проверку прототипов микросхем LPDDR5 DRAM емкостью 8 ГБ, состоящей из 8 чипов 8Gb LPDDR5. Массовое производство этих микросхем стартует на фабриках компании в Пхёнтхэке (Южная Корея) после получения соответствующих заказов от крупных игроков сегмента. По всей видимости, ожидать новые микросхем ОЗУ дебютируют в свежих смартфонах самой Samsung, а также, возможно, Apple.

Напомним, что недавно Samsung начала массовое производство чипов памяти V-NAND пятого поколения для смартфонов и суперкомпьютеров. Также ожидается, что Samsung и ARM скоро выпустят 7 нм мобильные процессоры Cortex-A76 с рабочей частотой от 3,0 ГГц и выше.

Источник: Samsung


Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: