Новости Новости 11.07.2018 в 10:17 comment

Samsung начала массовое производство чипов памяти V-NAND пятого поколения для смартфонов и суперкомпьютеров

author avatar
https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/ad81c83e9fbf757ce8a90d0eb41dee5b-96x96.jpeg *** https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/ad81c83e9fbf757ce8a90d0eb41dee5b-96x96.jpeg *** https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/ad81c83e9fbf757ce8a90d0eb41dee5b-96x96.jpeg

Вадим Карпусь

Автор новостей

Компания Samsung сообщила о начале массового производства своих первых чипов V-NAND пятого поколения. Впервые в отрасли в них используется интерфейс Toggle DDR 4.0. Благодаря этому обеспечивается скорость передачи данных на уровне 1,4 Гбит/с, что на 40% превышает возможности 64-слойных чипов предыдущего поколения.

Чипы памяти Samsung V-NAND пятого поколения имеют 90-слойную структуру, а их ёмкость составляет 256 Гбит. Каждая ячейка способна хранить 3 бита данных. Новинки отличаются повышенной энергоэффективностью благодаря снижению рабочего напряжения питания с 1,8 В (у чипов предыдущего поколения) до 1,2 В.Также для новых чипов улучшен показатель времени отклика при записи данных – до 500 мкс. Это на 30% лучше, чем у предшественников. Время отклика при чтении данных также снижено и теперь составляет 50 мкс. Вместе с тем, Samsung улучшила и производственный процесс изготовления чипов V-NAND пятого поколения, благодаря чему эффективность производства повысилась более чем на 30%.

Компания Samsung намерена быстро наращивать объёмы производства чипов памяти V-NAND пятого поколения. Эти устройства могут использоваться в широком перечне устройств, включая смартфоны, корпоративные серверы и суперкомпьютеры.

Источник: techpowerup

Продолжается конкурс авторов ИТС. Напиши статью о развитии игр, гейминг и игровые девайсы и выигрывай профессиональный игровой руль Logitech G923 Racing Wheel, или одну из низкопрофильных игровых клавиатур Logitech G815 LIGHTSYNC RGB Mechanical Gaming Keyboard!


Loading comments...

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: