Новый метод выращивания углеродных нанотрубок, разработанный в Кэмбриджском университете, по мнению его авторов, открывает широкие перспективы внедрения нанотехнологий в электронные схемы.
Исключительные электронные и механические характеристики нанотрубок делают их черезвычайно привлекательными для использования в электронном оборудовании. До сих пор этому препятствовала высокая температура (около 500 градусов Цельсия), необходимая для выращивания нанотрубок, поскольку она приводила к повреждению межпроводниковых диэлектриков в КМОП-устройствах.
Группа исследователей из Department of Engineering и Department of Materials Science университета Кэмбриджа, в сотрудничестве с Cambridge Hitachi Laboratory сумела вырастить одностенные углеродные нанотрубки при температурах ниже 350 градусов. Для этого применялся процесс химического осаждения из паровой фазы (Chemical Vapour Deposition), широко используемый в полупроводниковой индустрии.
Данное открытие проливает свет на механизмы роста нанотрубок, в частности, впервые показывает возможность использования не жидкого, а твердого катализатора, причем его результаты распространяются на каталитическое выращивание и других наноструктур.