Исследователи из компании Infineon провели испытания первой в мире сложной схемы, изготовленной с применением новой 65-нанометровой архитектуры. Тестировавшиеся цепи содержали более 3 тыс. активных транзисторов, полученных с помощью трехмерной многозатворной технологии.
Помимо 30%-ного уменьшения площади, по сравнению с современной однозатворной схемой аналогичной функциональности, новые транзисторы обеспечивают 10-кратное уменьшение тока покоя. Согласно расчетам ученых, это позволить удвоить эффективность работы и срок автономного функционирования портативных устройств от аккумуляторов по отношению к продуктам, созданным с помощью обычной 65-нанометровой технологии.
Для изготовления чипов по многозатворной технологии не требуется вносить кардинальных изменений в производственный процесс, можно также применять традиционные материалы создавая схемы как на монолитном кремнии, так и на подложках SOI.
Компания Infineon продолжит совершенствовать новый процесс в рамках партнерской программы в межвузовском центре микроэлектроники IMEC (Interuniversity Micro Electronics Center), расположенном в г. Левен (Бельгия). По мнению ее инженеров, данная технология будет готова для использования в массовом производстве через 5-6 лет.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: