Новости Новости 17.03.2020 в 13:49 comment

Samsung начала серийный выпуск скоростной флэш-памяти eUFS 3.1 объемом 512 ГБ для смартфонов

author avatar
https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/vova-96x96.jpeg *** https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/vova-96x96.jpeg *** https://itc.ua/wp-content/uploads/2022/04/vova-96x96.jpeg

Володимир Скрипін

Заместитель главного редактора, руководитель отдела новостей

Samsung Electronics сообщила о начале серийного выпуска скоростных модулей флэш-памяти eUFS (embedded Universal Flash Storage) 3.1 объемом 512 ГБ для следующего поколения флагманских смартфонов, планшетов и других мобильных устройств.

Новая флэш-память eUFS 3.1 втрое быстрее прошлого поколения, изготовленного в соответствии со стандартом eUFS 3.0. Говоря конкретнее, новые модули обеспечивают пиковую скорость последовательной записи 1200 МБ/с против 410 МБ/с у моделей eUFS 3.0. Это более чем в два раза быстрее, чем у ПК с накопителем SATA (540 МБ/с) и в десять раз быстрее по сравнению с картой памяти microSD UHS-I (90 МБ/с). К слову, с момента освоения выпуска последних прошло немногим больше одного года.

Заявленная пиковая скорость последовательного чтения составляет прежние 2100 МБ/с, максимальная производительность на операциях чтения с произвольным доступом заявлена на уровне 100 000 IOPS (прирост в 1,6 раза), а записи — 70 000 IOPS (прирост в 1,03 раза).

По словам корейского производителя, в смартфонах с новой памятью eUFS 3.1 потребуется всего около 1,5 минуты для перемещения 100 ГБ данных, тогда как в моделях с UFS 3.0 эта же операция займет более четырех минут.

Кроме модулей eUFS 3.1 максимального объема 512 ГБ, производитель предлагает версии объемом 128 и 256 ГБ. Они также будут использоваться в смартфонах, которые выйдут на рынок в этом году. Доподлинно известно, что память eUFS 3.1 получит смартфон Redmi K30 Pro, чья презентация состоится 24 марта.

Массовое производство памяти V-NAND пятого поколения, используемой в этих модулях, стартовала в этом месяце на новом китайском заводе X2 в Сиань. В обозримом будущем Samsung планирует завершить модернизацию линии на фабрике Пхёнтхэк (Pyeongtaek) в Южной Корее и начать выпускать память V-NAND шестого поколения для дальнейшего удовлетворения спроса.

Англійська для IT.
В межах курсу можна освоїти ключові ІТ-теми та почати без проблем говорити з іноземними колегами.
Дійзнайтеся більше

В заключение — таблица с хронологией освоения Samsung выпуска модулей встраиваемой мобильной флэш-памяти eUFS.

Samsung начала серийный выпуск скоростной флэш-памяти eUFS 3.1 объемом 512 ГБ для смартфонов

Источник: Samsung Electronics

Продолжается конкурс авторов ИТС. Напиши статью о развитии игр, гейминг и игровые девайсы и выигрывай профессиональный игровой руль Logitech G923 Racing Wheel, или одну из низкопрофильных игровых клавиатур Logitech G815 LIGHTSYNC RGB Mechanical Gaming Keyboard!


Loading comments...

Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: