Компания Western Digital представила встроенную память (UFS) iNAND MC EU521, которая позволяет разработчикам мобильных приложений улучшить работу смартфона с 5G. Компания первая на рынке поддержала создание JEDEC WriteBooster согласно стандартам UFS 3.1, ему должны будут соответствовать мировые производители смартфонов, оптимизированные для приложений и возможностей 5G.
Память iNAND MC EU521 позволяет разработчикам мобильных устройств в полной мере использовать преимущества высокой пропускной способности интерфейса UFS 3.1 (линии Gear 4/2), а также кэширования NAND SLC (одноуровневая ячейка).
Встроенный флэш-накопитель предлагает скорость записи до 800 МБ/с, что улучшает загрузку 4K и 8K, игр, а также передачу больших файлов из облака.
«Сегодня смартфоны требуют большей производительности и емкости, поскольку их используют для всего: от просмотра видео, воспроизведения музыки, игр и фотографий до платежей и картографии. Кэширование SLC в iNAND EU521 с WriteBooster позволяет пользователям загружать 4K фильмы за 3,6 секунды», — отметили в Western Digital.
Память WD iNAND EU521 будет доступна в марте текущего года в емкости 128 и 256 ГБ.
Источник: Western Digital