Samsung представила новое поколение карт памяти microSD. Компания начала тестирование карты памяти microSD SD Express объемом 256 ГБ, которая имеет скорость последовательного считывания до 800 МБ/с, а также объявила о начале массового производства карточек на 1 ТБ UHS-1.
По утверждению Samsung, компания впервые в отрасли представила настолько высокопроизводительную карту microSD на основе интерфейса SD Express. Разработка стала результатом успешного сотрудничества с клиентом для создания индивидуального продукта.
Благодаря дизайну с низким энергопотреблением, а также встроенному программному обеспечению, оптимизации для высокой производительности и управлению температурой, карта Samsung SD Express microSD в малом формфакторе обеспечивает производительность, эквивалентную некоторым SSD. В то время как скорость чтения большинства традиционных карт microSD на основе интерфейса UHS-1 ограничена 104 МБ/с, SD Express удалось повысить ее до 985 МБ/с, до сих пор такие карты microSD не были коммерчески доступны.
Скорость последовательного считывания карты SD Express microSD от Samsung достигает 800 МБ/с — в 1,4 раза быстрее, чем у твердотельных накопителей SATA (до 560 МБ/с) и более чем в четыре раза быстрее, чем у традиционных карт памяти UHS-1 (до 200 МБ/с), что позволит ускорить работу программ на ПК и мобильных устройствах. Чтобы обеспечить стабильную производительность и надежность в малом формфакторе, технология Dynamic Thermal Guard (DTG) поддерживает оптимальную температуру даже во время длительных сеансов использования.
Карта microSD UHS-1 на 1 ТБ с V-NAND на 1 ТБ
Новая карта памяти microSD от Samsung объемом 1 ТБ содержит восемь уровней V-NAND 8-го поколения общей емкостью 1 ТБ, реализуя характеристики, которые ранее были возможны только на SSD. Новая карта памяти microSD объемом 1 ТБ «прошла самые строгие тесты в отрасли» и имеет защиту от воды, экстремальных температур, падений, износа, рентгеновского излучения и магнитного поля.
Заявленная защита действительна только для карты microSD UHS-1 на 1 ТБ (не для карты SD Express microSD на 256 ГБ). Она предусматривает глубину погружения 1 м в соленую воду на время до 72 часов. Рабочие температуры — от -25 ℃ до 85 ℃), нерабочие температуры — -40 ℃ до 85 ℃. Карта выдерживает стандартные рентгеновские аппараты аэропорта (до 100 мГр). Магнитное поле эквивалентно мощному МРТ-сканеру (до 15 000 Гс). Изделие выдерживает падение с высоты до 5 м и до 10 000 изменений карты.
Карта microSD SD Express на 256 ГБ будет доступна для приобретения позже в 2024 году, а карта microSD UHS-1 на 1 ТБ будет выпущена в третьем квартале этого года.