Компания Intel совместно с Micron начали массовое производство NAND-памяти с соблюдением 34 нм техпроцесса. Использование более тонкого технологического процесса даст производителям возможность создавать слои чипов емкостью 32 Гб (4 ГБ), применяя при этом стандартную упаковку и традиционные 300-миллиметровые пластины. На каждый слой можно поместить до 8 ядер, соответственно 2-слойный модуль будет содержать 64 ГБ памяти, и при этом нет необходимости полностью разделять чипы.
Стараниями Intel и Micron рынок портативной электроники ожидает настоящий прорыв. Мобильные телефоны, MP3-плееры и другие подобные устройства смогут предложить намного больше дискового пространства без особого увеличения в стоимости. Не обойдет стороной данная инновация и твердотельные накопители. Их емкость также значительно возрастет.
Ни Intel, ни Micron не сообщают точной даты начала поставок новых чипов флэш-памяти, тем не мене представители этих компаний уверяют, что темпы производства опережают запланированный график. Учитывая стандартный цикл производства флэш-памяти, новые гаджеты можно ожидать в начале 2009 года.
Текущее положение вещей выводит Intel в прямые конкуренты японской компании Toshiba, которая планирует представить 32-гигабайтные чипы флэш-памяти примерно в то же время. Стоит отметить, что последние изготавливаются с соблюдением норм 43-нанометрового техроцесса, и потенциально их физические размеры могут быть больше, чем у конкурентов.