Новости
Qualcomm раскрыла все характеристики новой 7-нанометровой флагманской SoC Snapdragon 855
61

Qualcomm раскрыла все характеристики новой 7-нанометровой флагманской SoC Snapdragon 855

Qualcomm раскрыла все характеристики новой 7-нанометровой флагманской SoC Snapdragon 855

Компания Qualcomm, как и обещала, раскрыла подробные характеристики 7-нанометровой однокристальной системы Snapdragon 855, которая станет основой большинства флагманских смартфонов в следующем году. Напомним, предварительный анонс Snapdragon 855 состоялся вчера.

Итак, процессорная часть Snapdragon 855 — восьмиядерный CPU Kryo 485 — действительно построена по новой трехкластерной схеме с одним высокопроизводительным ядром, работающим с частотой 2,84 ГГц. Средний процессорный кластер включает три ядра с частотой 2,42 ГГц, а младший четыре ядра с частотой 1,8 ГГц. Составляющая SoC, отвечающая за обработку графики, — GPU Adreno 640.

Qualcomm утверждает, что Snapdragon 855 превосходит предшественника Snapdragon 845 по производительности процессорной части на 45%, а по графическому быстродействию — на 20%. Также производитель заявляет для чипа лучший в сегменте показатель производительности на ватт затрачиваемой энергии, но конкретное значение не указывается.

Также в конфигурацию SoC вошел новый процессор обработки изображений Spectra 380, являющийся первым ISP с поддержкой записи 4K видео стандарта HDR10+ (захват более 1 млрд цветовых оттенков).

Что касается модема, вопреки слухам, частью новой платформы является Snapdragon X24 с поддержкой LTE и скоростью передачи данных до 2 Гбит/с, а не Snapdragon X50 с поддержкой 5G.  Последний будет поставляться в виде отдельной микросхемы. В целом достаточно разумное решение, поскольку существенно расширяет потенциальную клиентскую базу чипа — тем производителям, которые решат повременить с внедрением поддержки 5G, не придется отказываться от новой флагманской SoC Qualcomm.

Говоря о модеме Snapdragon X50, он работает в миллиметровом диапазоне (mmWave) с полосой пропускания 800 МГц и в диапазоне 6 ГГц, где полоса пропускания составляет 100 МГц, обеспечивая скорость передачи данных на уровне 5 Гбит/с. Но надо понимать, что это теоретический предел, а реальные показатели будут зависеть от телекоммуникационного оборудования операторов и многих других факторов. Собственно, выше мы упоминали, что тот же Snapdragon X24 обеспечивает скорость передачи данных до 2 Гбит/с, но в коммерческих сотовых сетях LTE такими скоростями и не пахнет.

Выделенного блока NPU для работы искусственного интеллекта Snapdragon 855, в отличие от Apple A12 Bionic и Kirin 980, не получила. Но она содержит сигнальный процессор Hexagon 690, частью которого является специальный движок, предназначенный как раз для ускорения приложений ИИ. То есть, по сути, у Snapdragon 855 этот элемент тоже присутствует и с задачами, связанными с работой искусственного интеллекта, платформа потенциально может справляться не хуже тех же Apple A12 Bionic и Kirin 980. Собственно, Snapdragon 855 способна обрабатывать свыше 7 трлн операций в секунду и демонстрирует втрое более высокую производительность по сравнению с Snapdragon 845 в задачах ИИ. Для сравнения, Apple A12 Bionic может обрабатывать до 5 трлн операций в секунду.

Из остального можно отметить Snapdragon Elite Gaming Experience (комплекс решений для полного раскрытия возможностей нового чипа в играх), кодек Qualcomm aptX Adaptive и Qualcomm TrueWireless Stereo Plus, поддержку ультразвукового сканера отпечатков пальцев Qualcomm 3D Sonic Sensor, виртуальной реальности в разрешении 8K, памяти LPDDR4X с частотой 2133 МГц, Wi-Fi 6 (802.11ax) и Bluetooth 5.0, а также быструю зарядку Quick Charge 4+.

Первые смартфоны с SoC Snapdragon 855 появятся на рынке в начале следующего года, но об этом мы расскажем отдельно в следующей новости.

Источник: Engadget и Qualcomm (1 и 2)


Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: