Новости
Вероятнее всего, смартфон Samsung Galaxy S10 станет первым носителем ОЗУ LPDDR5 и флэш-памяти UFS 3.0
9

Вероятнее всего, смартфон Samsung Galaxy S10 станет первым носителем ОЗУ LPDDR5 и флэш-памяти UFS 3.0

Вероятнее всего, смартфон Samsung Galaxy S10 станет первым носителем ОЗУ LPDDR5 и флэш-памяти UFS 3.0

Судя по всему, флагманы следующего года, начиная с Galaxy S10, предложат неслабый прирост быстродействия и энергоэффективности.

Известный инсайдер под ником @UniverseIce сообщает, что Samsung планирует начать массовое производство микросхем памяти LPDDR5 и UFS 3.0 уже до конца этого года. Немудрено, что в таком случае первым носителем новой более быстрой и энергоэффективной памяти станет Samsung Galaxy S10. Тем более, что слухи об этом были еще задолго до выхода Galaxy S9.

По пропускной способности интерфейс UFS 3.0 вдвое превосходит своего предшественника UFS 2.0, обеспечивая скорость передачи данных до 23,2 Гбит/с (до 11,6 Гбит/с в расчете на линию). Кроме того, в UFS 3.0 снижено энергопотребление (напряжение питания составит 2,5 В) и расширен рабочий температурный диапазон. В случае LPDDR5 можно рассчитывать на повышение скорости и энергоэффективности на 10% и 15% соответственно.

О смартфоне Galaxy S10 нам пока известно немного, хотя кое-какая информация есть. Недавние слухи приписывали ему 6,2-дюймовый дисплей со встроенными громкоговорителями, занимающий 100% площади лицевой панели. Также проскакивала информация о тройной основной камере и сканере отпечатков пальцев под поверхностью дисплея. Как и предшественниками, Samsung Galaxy S10 будет использовать две однокристальных системы: Exynos 9820 или Snapdragon 855 в зависимости от региона продаж.

Источник: @UniverseIce


Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: