Новости
«2,66 ТБ в одной микросхеме»: Toshiba Memory создала прототип 96-слойной флэш-памяти QLC NAND
27

«2,66 ТБ в одной микросхеме»: Toshiba Memory создала прототип 96-слойной флэш-памяти QLC NAND

«2,66 ТБ в одной микросхеме»: Toshiba Memory создала прототип 96-слойной флэш-памяти QLC NAND

В прошлом месяце Micron пообещала начать поставки 96-слойной флэш-памяти 3D NAND, что в теории должно привести к удешевлению SSD, во втором полугодии. Теперь же о создании 96-слойного кристалла сообщила Toshiba Memory. Совместно с Western Digital она создала прототип 96-слойной флэш-памяти BiCS FLASH, способной хранить 4 бита данных в каждой ячейке (QLC NAND). Едва ли стоит говорить, что путем наращивание слоев обеспечивается дальнейшее повышение плотности флэш-памяти.

В Toshiba подчеркивают, что новые кристаллы самые емкие на рынке – 1,33 Тбит. Упаковав 16 кристаллов 96-слойной памяти QLC 3D NAND, можно получить микросхему рекордно большого объема – 2,66 ТБ. Производитель обещает показать ее на мероприятии 2018 Flash Memory Summit, которое пройдет в Санта-Кларе с 6 по 9 августа.

Отметим, что в большинстве современных SSD используются 32-слойные микросхемы, а в наиболее передовых моделях — 64-слойные. Так что массовое распространение 96-слойная память получит еще очень нескоро.

Поставки ознакомительных образцов микросхем новой памяти разработчикам SSD и контроллеров для SSD должны начаться в первых числах сентября, а появлений серийных продуктов с этой памятью ожидается в следующем году.

В конце прошлого года Toshiba продала свой полупроводниковый бизнес, куда входит Toshiba Memory, за $18 млрд консорциуму во главе с Western Digital.

Источник: TechPowerUp


Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: