Компания Samsung смогла освоить производство флеш-памяти с применением 20-нанометрового технологического процесса, то есть добилась даже лучшего результата, чем Toshiba. На данный момент компания производит первые образцы 32-гигабитных чипов флеш-памяти MLC NAND на новом техпроцессе.
Samsung планирует использовать данное решение в картах памяти SD объемом от 4 до 64 ГБ. Переход на новый техпроцесс производства дал компании возможность увеличить емкость чипов флеш-памяти и при этом уменьшить их стоимость. Кроме того, улучшилась производительность микросхем. В сравнении с 30-нанометровыми чипами, те, что построены с использованием техпроцесса 20 нм, оказались на 30% быстрее. А это означает очередную волну снижения цен на карты флеш-памяти, включая производительные решения с рейтингом скорости Class 10.