Південнокорейський виробник пам’яті SK hynix під час заходу SK AI Summit 2025 представив оновлену стратегію розвитку своїх DRAM і NAND-технологій. Компанія підтвердила, що наступне покоління графічної пам’яті GDDR7-Next і твердотілих накопичувачів PCIe Gen7 з’явиться не раніше 2029–2031 років. Ця дорожня карта охоплює як стандартні продукти, так і рішення, оптимізовані для ШІ-навантажень у сфері високопродуктивних обчислень, оперативної пам’яті та флеш-пам’яті NAND.

2026–2028: HBM4, LPDDR6 і SSD на PCIe Gen6

У найближчі три роки SK hynix зосередиться на HBM4 з багатошаровими стековими конструкціями 16-Hi та HBM4E у варіантах 8, 12 і 16-Hi, а також створить кастомну версію HBM4E для конкретних клієнтів.

Серед стандартних модулів оперативної пам’яті лінійку очолить LPDDR6, орієнтована на мобільні пристрої та ультратонкі ноутбуки. Для задач штучного інтелекту SK hynix розробляє спеціальну серію AI-D, до якої увійдуть:

• LPDDR5X SOCAMM2,
• MRDIMM Gen2,
• LPDDR5R,
• CXL LPDDR6-PIM другого покоління, яка дозволить інтегрувати обчислення безпосередньо в модулі пам’яті.

У сегменті NAND компанія планує запуск PCIe Gen5 eSSD з об’ємом до 245 ТБ на базі чипів QLC та PCIe Gen6 eSSD для корпоративного ринку, а також cSSD для клієнтських пристроїв. У мобільному секторі з’являться версії UFS 5.0 і ранні продукти AI-N, що поєднують пам’ять і базову логіку для ШІ-обчислень.

2029–2031: Ера DDR6, GDDR7-Next і 400-шарової NAND

Друга частина дорожньої карти охоплює період 2029–2031 років, коли з’явиться GDDR7-Next — нове покоління графічної пам’яті, що перевершить поточну GDDR7 (яка працює на швидкості 30-32 Гбіт/с із потенціалом до 48 Гбіт/с). Це означає, що виробники GPU, ймовірно, залишаться на GDDR7 ще кілька років, перш ніж перейти на її спадкоємця.

Паралельно SK hynix готує DDR6 і 3D DRAM, які, за прогнозами, почнуть з’являтися в споживчих ПК і серверних системах наприкінці десятиліття.

Серія HBM також продовжить еволюцію: після HBM4E і кастомних рішень компанія планує HBM5 і HBM5E, включно зі спеціалізованими модифікаціями. У таких варіантах більша частина логіки (контролер і протокольні IP) переноситься в базовий шар кристала, що зменшує енергоспоживання і вивільняє площу на GPU чи ASIC. Виробництво цих базових кристалів SK hynix розробляє у партнерстві з TSMC.

У NAND-сегменті з’явиться новий рівень продуктивності — PCIe Gen7 eSSD і cSSD, UFS 6.0, а також 4D NAND із понад 400 шарами. Для систем зі штучним інтелектом компанія готує AI-N P “Storage Next” і AI-N B на базі High-Bandwidth Flash, що забезпечить надвисоку пропускну здатність зберігання даних.

Джерело: videocardz