Новости
Samsung создала чип памяти LPDDR4 DRAM с рекордной емкостью 8 Гб

Samsung создала чип памяти LPDDR4 DRAM с рекордной емкостью 8 Гб


Samsung создала чип памяти LPDDR4 DRAM с рекордной емкостью 8 Гб

Компания Samsung заявила, что ей первой в отрасли удалось разработать мобильный чип памяти LPDDR4 (low power double data rate 4) DRAM емкостью 8 Гб.

Данный чип изготавливается по нормам технологического процесса 20-нанометрового класса. Один кристалл обладает емкостью 1 ГБ, что является рекордом для своего класса. Объединив четыре таких чипа, можно создавать модули памяти для мобильных устройств объемом 4 ГБ. Интерфейс LPDDR4 обеспечивает прирост производительности на уровне 50% по сравнению с широко распространенным в настоящее время интерфейсом LPDDR3. При этом заявлено снижение энергопотребления, примерно, на 40% при рабочем напряжении питания 1,1 В. Дополнительно сообщается, что в новинке применяется интерфейс ввода-вывода LVSTL. Он обеспечивает скорость передачи данных для каждого соединения 3200 Мб/с, что в 2 раза превосходит возможности массовых продуктов LPDDR3 DRAM, которые изготавливаются по сопоставимым технологическим процессам 20-нанометрового класса.

Новые чипы памяти ориентированы на мобильные устройства премиум-сегмента: смартфоны, планшеты и ноутбуки с большими дисплеями с UHD разрешением. Также они могут использоваться в высокопроизводительных сетевых решениях. Появление этих чипов ожидается в 2014 году.


Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: