Компания Samsung Electronics приступила к массовому производству первых в отрасли микросхем памяти типа LPDDR4 плотностью 12 Гбит. Они рассчитаны на выпуск по нормам 20-нм технологического процесса и призваны существенно ускорить распространение высокопроизводительной памяти типа DRAM для мобильных устройств по всему миру.
Стоит отметить, что чипы памяти LPDDR4 плотностью 12 Гбит обеспечивают наибольшую плотность и наивысшую скорость памяти, доступную на сегодняшний день для чипов DRAM. При этом они отличаются высокой энергоэффективностью, надежностью и простым дизайном, что немаловажно для разработки следующего поколения мобильных устройств.
В одном модуле мобильной памяти Samsung может объединять до четырех кристаллов совокупным объемом 6 ГБ. К слову, на данный момент это единственный возможный вариант выпустить микросхему мобильной памяти типа DDR4 объемом 6 ГБ. Примечательно, что новые микросхемы объемом 6 ГБ занимают столько же площади, сколько модули LPDDR4 объемом 3 ГБ, использующие микросхемы плотностью 8 Гбит. Это играет очень важную роль при разработке мобильных устройств, где каждый мм² площади на вес золота.
Скорость передачи данных, обеспечиваемая новой памятью, достигает 4266 Мбит/с в расчете на вывод, что на 30% больше по сравнению с микросхемами памяти LPDDR4 из кристаллов плотностью 8 Гбит, а также вдвое выше скорости памяти DDR4-2133 для ПК. Что характерно, несмотря на прирост в емкости и скорости энергопотребление нового решения на 20% меньше. Кроме того, производитель отмечает, что с выпуском чипов памяти LPDDR4 плотностью 12 Гбит ему удалось вдвое увеличить объемы производства для удовлетворения растущего спроса на высокопроизводительную память для мобильных устройств в будущем.
Компания Samsung также питает большую надежду, что достоинства новой памяти обеспечат возможность выхода на другие рынки, помимо мобильных устройств, включая мини-ПК, а также бытовой и автомобильной электроники.
Источник: Samsung