Samsung начала массовое производство модулей DDR4 RDIMM объемом 64 ГБ на базе кристаллов DRAM плотностью 16 Гбит
Компания Samsung Electronics на этой неделе объявила о начале массового производства первых в индустрии модулей DDR4 RDIMM объемом 64 ГБ, которые создаются на базе кристаллов DRAM плотностью 16 Гбит (2 ГБ).…
Cadence и Micron продемонстрировали работающий прототип модуля памяти DDR5-4400
JEDEC еще предстоит закончить разработку и утвердить финальные спецификации нового стандарта оперативной памяти DDR5, которая тоже будет использовать нормы 7 нм. Это событие ожидается не ранее…
Western Digital представила самую быструю в своем классе карту памяти microSD объемом 400 ГБ
Летом прошлого года в рамках выставки IFA 2017 компания Western Digital представила карту SanDisk Ultra microSDXC UHS-I рекордного для данного класса карт объема – 400 ГБ. В Барселону, на выставку MWC 2018, Western Digital…
Xi’an UniIC Semiconductors первой среди китайских производителей начинает продажи чипов и модулей памяти DDR4
Не секрет, что цены на рынке памяти DRAM растут уже несколько кварталов подряд из-за нехватки этой самой памяти – предложение не поспевает за растущим спросом. Тенденция к росту, которая,…
Samsung начал серийное производство первых в индустрии 2 ГБ модулей видеопамяти GDDR6 для видеокарт следующего поколения
Компания Samsung Electronics сегодня сообщила о начале массового производства первых в индустрии модулей памяти GDDR6, предназначенных для использования в видеокартах, игровых, сетевых и…
Samsung начала выпускать Aquabolt — самую быструю память HBM2 объемом 8 ГБ
Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска второго поколения микросхем памяти High Bandwidth Memory-2 (HBM2) емкостью 8 ГБ, предназначенных для суперкомпьютеров, систем искусственного…
Samsung выпустила встраиваемую флэш-память объемом 512 ГБ для смартфонов
Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска первых в индустрии встраиваемых модулей флэш-памяти eUFS (embedded Universal Flash Storage) емкостью 512 ГБ для смартфонов и планшетов. Они построены на…
Новая карта памяти SanDisk microSD рекордного объема 400 ГБ стоит $250
Представленный вчера премиальный смартфон LG V30, впрочем, как и многие другие модели, предлагает возможность расширения встроенной памяти за счет установки карт microSD объемом до 2 ТБ. И хотя…
Western Digital создала 64-слойную флэш-память 3D NAND X4 (BiCS3), способную хранить четыре бита в одной ячейке
Компания Western Digital представила новую 64-слойную флэш-память типа 3D NAND X4 (BiCS3), способную хранить четыре бита в одной ячейке. При создании новой памяти Western Digital использовала успешный опыт…
Samsung наращивает производство чипов памяти HBM2 объёмом 8 ГБ
Компания Samsung заявила об увеличении объёмов производства памяти HBM2 (High Bandwidth Memory-2) объёмом 8 ГБ. Такой шаг стал следствием увеличивающегося спроса на такую память. Она применяется в широком…
ADATA представила DDR4-модули памяти XPG SPECTRIX D40 RGB с поддержкой настраиваемой подсветки ASUS AURA Sync
Компания ADATA Technology объявила о том, что ее новый модуль памяти XPG SPECTRIX D40 RGB DDR4 получил сертифицированную поддержку технологии RGB-подсветки ASUS AURA Sync. Благодаря этому пользователи материнских…
ADATA представила SSD-накопитель S10 (PCIe Gen3x4 NVMe 1.2) с усиленным охлаждением и модуль памяти D10 DDR4 из новой геймерской линейки XPG GAMMIX
Компания ADATA Technology представила новый SSD-накопитель GAMMIX S10 и модуль памяти D10 DDR4 из игровой линейки XPG GAMMIX, впервые продемонстрированной на Computex 2017. Линейка GAMMIX ориентирована на геймеров,…
TrendForce: Средний объем ОЗУ в смартфонах 2017 модельного года составит 3,2 ГБ (на 33% больше, чем в прошлом году), а iPhone 8 не получит 4 ГБ ОЗУ
Исследовательская компания TrendForce опубликовала очередной прогноз, связанный с объемом оперативной памяти в новых моделях смартфонов. Согласно выводам экспертов компании, объем ОЗУ в…
ADATA представила SD-карты памяти SLC Industrial (ISDD361) для использования в экстремальных условиях
Компания ADATA Technology представила новые SD-карты памяти промышленного стандарта ISDD361, в которых применяются специально отобранные чипы флэш-памяти SLC NAND, упакованные в усиленный корпус,…
Silicon Power увеличивает объем карт памяти Superior Pro SDXC UHS-I (U3) и Elite microSDXC UHS-I (U1) до 256 ГБ
Едва ли кто-то станет оспаривать утверждение чем больше памяти, тем лучше. Эта неоспоримая истина прекрасно известна компании Silicon Power, ведущему мировому поставщику решений хранения данных,…
SK Hynix анонсировала первую 72-слойную флэш-память 3D-NAND для нового поколения SSD
Компания SK Hynix анонсировала первую в отрасли 72-слойную флэш-память 3D NAND плотностью 256 Гбит, в которой используются ячейки TLC и другие фирменные разработки производителя.
JEDEC анонсировала разработку памяти DDR5, которая будет вдвое быстрее нынешней DDR4
Организация JEDEC, занимающаяся стандартизацией в микроэлектронной отрасли, сообщила, что разработка спецификаций DDR5 SDRAM и NVDIMM-P идет по плану – оба стандарта будут приняты в 2018 году.
Ученые IBM создали «атомарный» жесткий диск
За последние десятилетия плотность хранения информации сильно возросла при одновременном уменьшении физических размеров электронных носителей – сегодня в крошечном чипе памяти смартфона…
Micron выпустит память GDDR6 в конце этого года
В Micron перенесли выпуск GDDR6 с 2018 на конец 2017 года.
У SK Hynix готовы первые в мире микросхемы мобильной памяти LPDDR4X DRAM объемом 8 ГБ
Как мы уже сообщали, в октябре прошлого года компания Samsung начала выпускать первые в отрасли микросхемы мобильной памяти LPDDR4 DRAM объемом 8 ГБ. И вот сейчас SK Hynix первой приступила к производству…
SD Association представила новый класс производительности "A1" для карт памяти SD, которые будут гарантированно работать с Android-приложениями
Если раньше на класс производительности карт памяти обращали внимание разве что профессиональные фотографы и обладатели гаджетов, способных записывать 4K-видео, то теперь это смогут делать…
Samsung представила первые микросхемы памяти LPDDR4 DRAM объемом 8 ГБ, выпускаемые по технологии 10-нанометрового класса
Компания Samsung Electronics представила первые в отрасли микросхемы памяти LPDDR4 DRAM объемом 8 ГБ, выпускаемые по технологии 10-нанометрового класса (от 10 до 19 нм) и состоящие из четырех чипов плотностью…
SanDisk выпустила первую в мире карту SD объемом 1 ТБ (пока только в виде прототипа)
Сегодня компания SanDisk представила рекордно емкую карту памяти SDXC объемом 1 ТБ. Если быть точным, в данном случае речь идет о прототипе, тогда как информации о сроках выхода и стоимости…
Устройства на модулях памяти HBM2 производства SK hynix станут доступны пользователям уже в этом году
Компания SK hynix сообщила, что представители нового скоростного поколения памяти HBM2 станут доступны пользователям уже в третьем квартале 2016 года, на данный момент стартовал прием предзаказов.
«10 ТБ на квадратном сантиметре»: исследователи Делфтского технического университета разработали «атомарную» память
Исследователи Делфтского технического университета разработали новую технологию хранения данных на атомарном уровне, основанную на использовании электронного состояния атома хлора для…
HyperX обновила линейки геймерской памяти Predator DDR4 и DDR3
Специализированное подразделение HyperX американской компании Kingston Technology анонсировало обновление линеек геймерской оперативной памяти Predator DDR4 и Predator DDR3. В обновленной линейке разработчики…
Samsung показала 10-нм модуль памяти LPDDR4 DRAM объемом 6 ГБ, вероятно предназначенный для смартфона Galaxy Note 6
Вчера в Шэньчжэне (Китай) состоялся ежегодный форум Samsung Mobile Solutions Forum 2016, посвященный обсуждению последних технологий и тенденций ближайшего будущего в полупроводниковой индустрии. На нем…
Специалисты IBM Research первыми создали память PCM, способную хранить три бита в одной ячейке
Специалисты IBM Research совершили инженерный прорыв, который, как утверждается, может посодействовать реализации сценария перехода электронных устройств с привычной памяти DRAM и NAND на более…
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: