Micron начала отгрузки новой мобильной памяти LPDDR5 DRAM, смартфон Xiaomi Mi 10 получит ее одним из первых
Компания Micron Technology на этой неделе объявила о начале серийного производства и первых поставках микросхем оперативной памяти LPDDR5 DRAM, которая значительно быстрее и энергоэффективнее…
Быстрее, дешевле и энергоэффективнее: опубликован стандарт UFS 3.1
Комитет JEDEC опубликовал спецификацию UFS 3.1 (JESD220E), которая добавляет в стандарт несколько функций, связанных с производительностью, надежностью и мощностью. Новые возможности обещают…
Western Digital и Kioxia готовят 112-слойную флэш-память 3D NAND плотностью 512 Гбит
Western Digital и ее стратегический партнер Kioxia (бывшая Toshiba Memory) готовят к выпуску новую флэш-память 3D NAND высокой плотности, в которой будет 112 слоев с ячейками памяти. Эта новая память имеет…
Kingston Digital анонсировала на CES 2020 карты памяти UHS-II, твердотельные накопители NVMe PCIe Gen 4.0 и другие новинки
Компания Kingston Digital анонсировала на выставке потребительской электроники CES 2020 карты памяти UHS-II, твердотельне накопители NVMe PCIe Gen 4.0 и другие новинки.
Micron начала поставки образцов модулей памяти DDR5 RDIMM
Компания Micron объявила о начале поставок ознакомительных образцов модулей памяти RDIMM на базе новых микросхем DDR5 ключевым OEM-партнерам для разработки модулей памяти следующего поколения,…
DigiTimes: в этом году флэш-память NAND подорожает — до 40%
Ссылаясь на данные отраслевых источников, ресурс DigiTimes заявляет, что контрактные цены на флэш-память NAND в этом году вырастут на величину до 40%. На этом типе памяти, как известно, выпускаются…
ChangXin стала первым китайским поставщиком памяти DRAM
Китайская компания ChangXin Memory Technologies утверждает, что она стала первым и единственным местным поставщиком памяти DRAM в стране. Отметим, эта компания была основана в 2016 году и ранее была известна…
Компания Kingston Digital представила новый SSD-накопитель Kingston DC450R для центров обработки данных
Компания Kingston Digital объявила о начале поставок твердотельных SSD-накопителей SATA 6 Gbps серии Data Center 450R (DC450R), построенных на 3D TLC NAND флеш-памяти и предназначенных для нагрузок преимущественно по…
Kingston Digital представила SSD-накопитель нового поколения Kingston KC600 с памятью 3D TLC NAND и интерфейсом SATA Rev 3.0
Компания Kingston Digital объявила о начале поставок твердотельных накопителей новой серии KC600 с интерфейсом SATA. Разработанные для применения в настольных ПК и ноутбуках, накопители серии KC600…
SK hynix разработала более эффективную технологию производства 16-гигабитных чипов DDR4 DRAM
Компания SK hynix заявила, что её удалось разработать чипы памяти DRAM DDR4 (Double Data Rate 4) ёмкостью 16 Гбит, которые изготавливаются по нормам технологии класса 1Z нм.
Kingston Digital представила NVMe PCIe SSD-накопитель Kingston A2000 на основе 3D NAND TLC памяти
Компания Kingston Digital представила линейку NVMe PCIe SSD-накопителей нового поколения Kingston А2000. Выполненные в одностороннем форм-факторе M.2 на 3D NAND TLC флеш-памяти, новые накопители имеют более высокую,…
Kingston Digital представила SSD-накопитель нового поколения KC 2000 (NVMe PCIe)
Американская компания Kingston Digital представила KC 2000 – SSD-накопитель M.2 NVMe PCIe нового поколения для высокопроизводительных систем. Благодаря использованию новейшего контроллера SMI 2262EN с шиной PCIe…
SanDisk первой выпустила карту памяти microSD объемом 1 ТБ
Компания SanDisk, являющаяся дочерним предприятием Western Digital, начала продажи карточки памяти SanDisk Extreme microSDXC UHS-I объемом 1 ТБ — самой емкой и самой быстрой (по заверениям производителя) в мире…
Samsung разработала первые в отрасли чипы DDR4 на базе технологии 10-нм класса третьего поколения
Компания Samsung заявила, что она первой в отрасли смогла разработать чипы памяти Double Data Rate 4 (DDR4) ёмкостью 8 Гбит на базе производственной технологии 10-нанометрового класса третьего поколения.…
«До 1700 МБ/с при чтении и 1480 МБ/с при записи»: Sony анонсировала карты памяти CFexpress Type B
Sony анонсировала высокопроизводительные карты памяти CFexpress Type B (CFx Type B), которые предназначены для профессионального и промышленного использования. Они соответствуют спецификациям…
Samsung начала массовое производство первых в отрасли чипов памяти eUFS 3.0 ёмкостью 512 ГБ со скоростью чтения до 2100 МБ/с
Грядущие смартфоны флагманского уровня будут обеспечивать скорость чтения и записи информации, сопоставимую с возможностями накопителей ноутбуков. Это станет возможным благодаря новым…
Intel уже готова к массовому производству памяти MRAM, сочетающей в себе лучшие возможности DRAM и NAND
По данным осведомлённых источников, компания Intel уже готова приступить к массовому производству памяти MRAM (Magnetoresistive Random-Access Memory).
JEDEC утвердила новый стандарт оперативной памяти LPDDR5 для мобильных устройств следующих поколений
Организация JEDEC опубликовала финальную версию стандарта LPDDR5. Новый стандарт оперативной памяти обеспечит прирост производительности и энергоэффективности для будущих смартфонов.
Patriot выпустила оверклокинговую DRAM-память Viper STEEL DDR4 с рабочей частотой 4400 МГц
Компания Patriot объявила о выпуске самого быстрого в своей линейке комплекта памяти Viper STEEL DDR4 16 ГБ (4400 МГц). Как следует из названия серии, производитель использует модули памяти со специально…
SK Hynix выведет на рынок память DDR5 к 2020 году и уже работает над DDR6
Компьютерная память стандарта DDR5 может поступить на рынок в 2020 году. Об этом заявляет научный сотрудник компании SK Hynix Ким Донг-Кьюн.
Microsoft едет на MWC 2019, где расскажет о гарнитуре HoloLens 2 и не только
24 февраля в 18:00 по киевскому времени Microsoft проведёт пресс-конференцию в рамках выставки Mobile World Congress, и, похоже, мы наконец узнаем некоторые подробности о втором поколении очков смешанной…
«$84 вместо $250». Amazon временно снизила цену на карту памяти SanDisk microSD объемом 400 ГБ
За минувший год цены на флэш-память типа NAND уже прилично снизились, но это далеко не конец. Если верить недавнему прогнозу аналитиков DRAMeXchange, за этот год средняя стоимость флэш-памяти типа…
MSI установила рекорд по разгону памяти DDR4 на значении 5608 МГц
Оверклокер Toppc из команды MSI установил рекорд по разгону оперативной памяти DDR4. Используя материнскую плату MSI Z390I GAMING EDGE AC и модули памяти Kingston HyperX Predator удалось добиться рабочей частоты на…
HyperX анонсировал геймерскую гарнитуру Cloud Mix, мышь Pulsefire Raid RGB, микрофон для стриминга Quadcast, память HyperX Predator DDR4 RGB и др. [CES 2019]
В рамках выставки CES 2019 геймерский бренд HyperX анонсировала масштабное расширение основных линеек своих продуктов. В частности, уже в ближайшие месяцы компания планирует начать продажи 16 ГБ…
SK Hynix анонсировала первый в отрасли чип памяти DDR5 ёмкостью 16 Гбит, отвечающий спецификациям JEDEC
Компания SK Hynix заявила, что она разработала первый в отрасли чип памяти DDR5 DRAM ёмкостью 16 Гбит, соответствующий требованиям стандартов JEDEC. Для изготовления чипа используется технологический…
В прошлом месяце контрактные цены на флэш-память TLC NAND снизились на рекордные 13-17%
Одновременно с оценкой рынка памяти DRAM специалисты DRAMeXchange, подразделения аналитической компании TrendForce, подготовили еще один отчет, касающийся рынка флэш-памяти NAND. Согласно ему, контрактные…
В 2019 году следует ожидать дальнейшего снижения цен на память NAND, но стоимость памяти DRAM не изменится
Благодаря систематическому снижению стоимости флэш-чипов NAND также дешевеют и твердотельные накопители. Этому способствует как увеличение плотности чипов, так и высокое предложение чипов…
ADATA выпустила игровые SSD-накопители XPG SX8200 Pro и GAMMIX S5 и память DDR4 GAMMIX D30
Компания ADATA сообщила о выпуске нескольких новых высокопроизводительных компьютерных комплектующих. Данные новинки ориентированы на применение в составе игровых компьютерных систем.
Настольные процессоры Intel 9-го поколения поддерживают до 128 ГБ ОЗУ
Процессоры Intel семейства Coffee Lake имели незначительные отличия от устройств линейки Kaby Lake. Фактически, 6-ядерные чипы получили лишь 2 дополнительных вычислительных ядра, но не претерпели…
HyperX объявила о начале сотрудничества с HP и представила новые сверхбыстрые модули памяти Predator DDR4 / DDR4 RGB
На проходящей в немецком Кельне ежегодной специализированной выставке товаров и технологий индустрии компьютерных игр Gamescom, компания HyperX объявила о начале долгосрочного сотрудничества с…
Samsung начал массовое производство второго поколения 10 нм ОЗУ для смартфонов LPDDR4X с меньшим энергопотреблением и габаритами
Компания Samsung Electronics объявила сегодня о старте массового производства первых в полупроводниковой индустрии модулей оперативной памяти LPDDR4X (Low Power, Double Data Rate, 4X) второго поколения, выполненных…
Samsung анонсировал новую 10 нм ОЗУ для смартфонов LPDDR5 (8 ГБ) со скоростью 6400 Мбит/с и на 30% меньшим энергопотреблением
Компания Samsung Electronics анонсировала скорый выход первых в индустрии модулей оперативной памяти LPDDR5 DRAM, выполненных по 10 нм техпроцессу. Новые ОЗУ планируется использовать в смартфонах с…
Samsung начала массовое производство чипов памяти V-NAND пятого поколения для смартфонов и суперкомпьютеров
Компания Samsung сообщила о начале массового производства своих первых чипов V-NAND пятого поколения. Впервые в отрасли в них используется интерфейс Toggle DDR 4.0. Благодаря этому обеспечивается…
«Ваше лицо — это ваш пароль»: Apple сняла «нервное» видео, в котором рекламирует функцию Face ID на iPhone X
Всем владельцам современных гаджетов знакомо тревожное чувство, которое возникает при попытке вспомнить подзабытый пароль. Особенно стрессовой ситуация может стать, если речь идет о…
Samsung начала массовое производство модулей DDR4 RDIMM объемом 64 ГБ на базе кристаллов DRAM плотностью 16 Гбит
Компания Samsung Electronics на этой неделе объявила о начале массового производства первых в индустрии модулей DDR4 RDIMM объемом 64 ГБ, которые создаются на базе кристаллов DRAM плотностью 16 Гбит (2 ГБ).…
Cadence и Micron продемонстрировали работающий прототип модуля памяти DDR5-4400
JEDEC еще предстоит закончить разработку и утвердить финальные спецификации нового стандарта оперативной памяти DDR5, которая тоже будет использовать нормы 7 нм. Это событие ожидается не ранее…
Western Digital представила самую быструю в своем классе карту памяти microSD объемом 400 ГБ
Летом прошлого года в рамках выставки IFA 2017 компания Western Digital представила карту SanDisk Ultra microSDXC UHS-I рекордного для данного класса карт объема – 400 ГБ. В Барселону, на выставку MWC 2018, Western Digital…
Xi’an UniIC Semiconductors первой среди китайских производителей начинает продажи чипов и модулей памяти DDR4
Не секрет, что цены на рынке памяти DRAM растут уже несколько кварталов подряд из-за нехватки этой самой памяти – предложение не поспевает за растущим спросом. Тенденция к росту, которая,…
Samsung начал серийное производство первых в индустрии 2 ГБ модулей видеопамяти GDDR6 для видеокарт следующего поколения
Компания Samsung Electronics сегодня сообщила о начале массового производства первых в индустрии модулей памяти GDDR6, предназначенных для использования в видеокартах, игровых, сетевых и…
Samsung начала выпускать Aquabolt — самую быструю память HBM2 объемом 8 ГБ
Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска второго поколения микросхем памяти High Bandwidth Memory-2 (HBM2) емкостью 8 ГБ, предназначенных для суперкомпьютеров, систем искусственного…
Samsung выпустила встраиваемую флэш-память объемом 512 ГБ для смартфонов
Компания Samsung Electronics объявила о начале серийного выпуска первых в индустрии встраиваемых модулей флэш-памяти eUFS (embedded Universal Flash Storage) емкостью 512 ГБ для смартфонов и планшетов. Они построены на…
Новая карта памяти SanDisk microSD рекордного объема 400 ГБ стоит $250
Представленный вчера премиальный смартфон LG V30, впрочем, как и многие другие модели, предлагает возможность расширения встроенной памяти за счет установки карт microSD объемом до 2 ТБ. И хотя…
Western Digital создала 64-слойную флэш-память 3D NAND X4 (BiCS3), способную хранить четыре бита в одной ячейке
Компания Western Digital представила новую 64-слойную флэш-память типа 3D NAND X4 (BiCS3), способную хранить четыре бита в одной ячейке. При создании новой памяти Western Digital использовала успешный опыт…
Samsung наращивает производство чипов памяти HBM2 объёмом 8 ГБ
Компания Samsung заявила об увеличении объёмов производства памяти HBM2 (High Bandwidth Memory-2) объёмом 8 ГБ. Такой шаг стал следствием увеличивающегося спроса на такую память. Она применяется в широком…
ADATA представила DDR4-модули памяти XPG SPECTRIX D40 RGB с поддержкой настраиваемой подсветки ASUS AURA Sync
Компания ADATA Technology объявила о том, что ее новый модуль памяти XPG SPECTRIX D40 RGB DDR4 получил сертифицированную поддержку технологии RGB-подсветки ASUS AURA Sync. Благодаря этому пользователи материнских…
ADATA представила SSD-накопитель S10 (PCIe Gen3x4 NVMe 1.2) с усиленным охлаждением и модуль памяти D10 DDR4 из новой геймерской линейки XPG GAMMIX
Компания ADATA Technology представила новый SSD-накопитель GAMMIX S10 и модуль памяти D10 DDR4 из игровой линейки XPG GAMMIX, впервые продемонстрированной на Computex 2017. Линейка GAMMIX ориентирована на геймеров,…
TrendForce: Средний объем ОЗУ в смартфонах 2017 модельного года составит 3,2 ГБ (на 33% больше, чем в прошлом году), а iPhone 8 не получит 4 ГБ ОЗУ
Исследовательская компания TrendForce опубликовала очередной прогноз, связанный с объемом оперативной памяти в новых моделях смартфонов. Согласно выводам экспертов компании, объем ОЗУ в…
ADATA представила SD-карты памяти SLC Industrial (ISDD361) для использования в экстремальных условиях
Компания ADATA Technology представила новые SD-карты памяти промышленного стандарта ISDD361, в которых применяются специально отобранные чипы флэш-памяти SLC NAND, упакованные в усиленный корпус,…
Silicon Power увеличивает объем карт памяти Superior Pro SDXC UHS-I (U3) и Elite microSDXC UHS-I (U1) до 256 ГБ
Едва ли кто-то станет оспаривать утверждение чем больше памяти, тем лучше. Эта неоспоримая истина прекрасно известна компании Silicon Power, ведущему мировому поставщику решений хранения данных,…
SK Hynix анонсировала первую 72-слойную флэш-память 3D-NAND для нового поколения SSD
Компания SK Hynix анонсировала первую в отрасли 72-слойную флэш-память 3D NAND плотностью 256 Гбит, в которой используются ячейки TLC и другие фирменные разработки производителя.