Новости
Samsung начала массовое производство модулей DDR4 RDIMM объемом 64 ГБ на базе кристаллов DRAM плотностью 16 Гбит
19

Samsung начала массовое производство модулей DDR4 RDIMM объемом 64 ГБ на базе кристаллов DRAM плотностью 16 Гбит

Samsung начала массовое производство модулей DDR4 RDIMM объемом 64 ГБ на базе кристаллов DRAM плотностью 16 Гбит

Компания Samsung Electronics на этой неделе объявила о начале массового производства первых в индустрии модулей DDR4 RDIMM объемом 64 ГБ, которые создаются на базе кристаллов DRAM плотностью 16 Гбит (2 ГБ). Новинки предназначены для серверов.

В состав каждого модуля входит 32 микросхем DDR4 DRAM плотностью 16 Гбит, расположенных по 16 с каждой стороны.

Новые модули памяти обеспечивает прирост по сравнению с модулями на кристаллах плотностью 8 Гбит (до 2666 МТ/с) и снижение энергопотребления на 19% (по сравнению с двумя модулями объемом 32 ГБ).

Первым серийным продуктом, получившим новые модули Samsung, стал сервер HPE ProLiant DL385 Gen10, построенный на процессорах серии AMD EPYC 7000. Эта двухпроцессорная модель поддерживает установку 32 модулей памяти, позволяя получить суммарно 2 ТБ ОЗУ. Другим сервером, где можно будет встретить эти модули, станет однопроцессорная модель HPE ProLiant DL325 Gen10, там максимальный объем ОЗУ составит 1 ТБ.

До конца этого года Samsung планирует начать собирать модули объемом 256 ГБ на этих же микросхемах плотностью 16 Гбит, которые позволят довести максимальный объем ОЗУ в серверах 2P до впечатляющих 8 ТБ!

Источник:  Samsung


Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: