Исследователи из компании IBM продемонстрировали новую многобитную память, выполненную на основе технологии изменения фазового состояния вещества (multi-bit phase-change memory). Ранее исследователям удавалось создавать лишь однобитную (single bit-per-cell) память PCM, которая обладала невысокой емкостью, а ее производство требовало больших затрат. Потому новая разработка IBM обеспечит увеличение емкости энергонезависимой памяти PCM и одновременное снижение стоимости ее производства.
Память на базе технологии изменения фазового состояния вещества обладает более высокими показателями производительности и надежности по сравнению с используемой в настоящее время флэш-памятью NAND. Так, память PCM способна выдерживать около 10 млн циклов записи. Напомним, современная флэш-память MLC NAND потребительского класса, выполненная по нормам 25-нанометрового технологического процесса, обладает ресурсом около 3 тыс циклов записи. В то же время тестовый чип памяти multi-bit PCM, произведенный на базе 90-нанометровой CMOS технологии, обеспечивает задержки при записи данных на уровне 10 микросекунд, что, приблизительно, в 100 раз превосходит показатели современных наилучших флэш-чипов памяти.
По предварительным прогнозам разработчикам, для усовершенствования технологии памяти PCM для начала ее коммерческой эксплуатации может потребоваться еще около пяти лет.
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: