Intel Foundry представила перший в світі чиплет з нітриду галію

Intel Foundry создала самый тонкий в мире чиплет на основе нитрида галлия.

Отмечается, что толщиной он всего 19 мкм. Разработка позволяет значительно повысить мощность, скорость и эффективность в компактном корпусе. Первый в мире чиплет на основе GaN, изготовленный на 300 нм кремниевых пластинах закладывает основу следующего этапа развития полупроводников.

Исследователям из Intel Foundry удалось объединить транзисторы на основе GaN с традиционными микросхемами на кремниевой основе на одном чипе. Это позволяет интегрировать сложные вычислительные функции непосредственно в энергосберегающие микросхемы без необходимости использования отдельных вспомогательных микроконтроллеров.

Испытания подтверждают, что новая технология чиплетов на основе GaN — перспективная альтернатива традиционным методам. Это позволит создавать более компактные и эффективные электронные устройства для дата-центров и сетей связи 5G и 6G.

Разработка решает давнюю проблему полупроводниковой промышленности — обеспечение большей мощности, скорости и эффективности в компактном формфакторе. Базовый кремниевый слой революционного чиплета составляет всего 19 мкм. Чиплет также включает первые в мире полностью монолитные цифровые контроллеры на кристалле, созданные с использованием единого интегрированного производственного процесса.

Потребность этой разработки обусловлена фундаментальной проблемой в электронике: необходимостью разместить больше мощностей в компактном формате с одновременной большей энергетической нагрузкой и более высокой скоростью передачи данных.

Традиционные кремниевые технологии приближаются к собственному физическому пределу. Intel Foundry сочетает сверхтонкий чиплет со встроенными цифровыми микросхемами без необходимости в отдельном чиплете с меньшими потерями энергии при передаче сигналов.

При использовании в оборудовании для дата-центров чиплеты на основе GaN способны быстрее переключаться, быть более энергоэффективными, чем кремниевые аналоги. Это позволит создавать меньшие по размерам стабилизаторы напряжения, более эффективные и размещенные ближе к процессорам. Это позволит значительно снизить резистивные энергетические потери, возникающие на длинных путях передачи питания.

В инфраструктуре беспроводных сетей связи высокочастотные характеристики транзисторов GaN делают их перспективными для использования в радиочастотных технологиях, например, базовых станций 5G и 6G.

Способность GaN эффективно работать на частотах, превышающих 200 ГГц, делает его хорошим выбором для сантиметрового и миллиметрового диапазонов, на которых будут базироваться сети следующего поколения.

Более широкая запрещенная зона GaN потенциально позволяет ему работать при более высоких температурах с большей стабильностью, уменьшая потери мощности при переключении и обеспечивая более эффективное регулирование теплового режима, что, в свою очередь, уменьшает размеры и стоимость систем охлаждения.

Ранее мы писали, что Intel готовит процессор с графикой NVIDIA RTX, что известно о Serpent Lake. В то же время Intel готовится к выпуску линейки процессоров Nova Lake-S. По инсайдерской информации, двухблочная конфигурация с 42 ядрами получит 2 дополнительных ядра.