Новости
Intel готовится к выпуску накопителей на базе чипов 3D NAND со 144 слоями и 3D X-point второго поколения

Intel готовится к выпуску накопителей на базе чипов 3D NAND со 144 слоями и 3D X-point второго поколения

Intel готовится к выпуску накопителей на базе чипов 3D NAND со 144 слоями и 3D X-point второго поколения


Компания Intel разработала новый 144-слойный флэш-чип 3D NAND, который может использоваться для создания твердотельных накопителей высокой ёмкости.

Новый флэш-чип Intel 3D NAND способен хранить до 4 бит данных в каждой ячейке (QLC), а также может быть сконфигурирован для работы в режимах TLC или SLC с меньшей плотностью хранения данных. Компания намерена использовать данный чип для изготовления твердотельных накопителей под кодовым названием Keystone Harbor, которые должны появиться до конца этого года. При этом разработки продолжаются, и Intel готовит началу эксплуатации новую технологию PLC, которая позволит хранить до 5 бит данных в каждой ячейке. Это позволит повысить плотность хранения данных на дополнительные 25%.

Кроме того, Intel близка к запуску технологии изготовления памяти 3D X-point второго поколения. Чипы второго поколения будут иметь по четыре слоя на физическом носителе, в то время как технология первого поколения позволяла размещать только два слоя. Первые продукты Optane, основанные на памяти 3D X-point второго поколения, получили кодовое название Alder Stream. Их запуск запланирован на текущий год. Первоначально на рынке появятся накопители с одним портом, а уже в 2021 году ожидается выпуск устройств и с двумя портами. Такие накопители получат новый улучшенный контроллер с поддержкой интерфейса PCI-Express 4.0. Скорее всего, накопители Alder Stream станут частью платформы следующего поколения, которая и получит поддержку PCI-Express 4.0.

Источник: techpowerup


Сообщить об опечатке

Текст, который будет отправлен нашим редакторам: