Ресурс Anandtech поделился некоторой информацией о новых твердотельных накопителях третьего поколения. Такие устройства основаны на флэш-чипах MLC (multi-level cell) NAND, изготовленных по нормам 25-нанометрового технологического процесса, которые должны обеспечить прирост производительности и снижение уровня энергопотребления.
Твердотельные накопители Intel третьего поколения сохранят существующую схему наименований. Так, линейка X25-M предназначена для потребительских компьютерных устройств, а серия X25-E ориентирована на применение в корпоративном секторе. Потребительские твердотельные накопители будут доступны в виде 1,8- и 2,5-дюймовых моделей. При этом для 1,8-дюймовых устройств максимальная емкость составит 300 ГБ, а для 2,5-дюймовых – 400 ГБ. Отмечается, что для твердотельных накопителей Intel X25-M скорость чтения составит до 250 МБ/с, скорость записи – до 170 МБ/с, количество операций ввода-вывода в секунду – 40000 для операций записи и 50000 для операций чтения. Для накопителей X25-E предусмотрено использование чипов eMLC NAND. В данном случае скорость чтения заявлена на уровне 250 МБ/с, скорость записи – 200 МБ/с, количество операций ввода-вывода в секунду – 50000. Емкость таких устройств может составлять 100, 200 и 400 ГБ. Для всех моделей SSD Intel третьего поколения заявлена поддержка шифрования данных при помощи 128-битного AES алгоритма. Кроме того, отмечается наличие энергонезависимого DRAM кэша.
Ожидается, что твердотельные накопители Intel третьего поколения поступят в массовую продажу в конце 2010 года или начале 2011 года.