Южнокорейский производитель памяти SK hynix во время мероприятия SK AI Summit 2025 представил обновленную стратегию развития своих DRAM и NAND-технологий. Компания подтвердила, что следующее поколение графической памяти GDDR7-Next и твердотельных накопителей PCIe Gen7 появится не раньше 2029-2031 годов. Эта дорожная карта охватывает как стандартные продукты, так и решения, оптимизированные для ИИ-нагрузок в сфере высокопроизводительных вычислений, оперативной памяти и флэш-памяти NAND.
2026-2028: HBM4, LPDDR6 и SSD на PCIe Gen6
В ближайшие три года SK hynix сосредоточится на HBM4 с многослойными стековыми конструкциями 16-Hi и HBM4E в вариантах 8, 12 и 16-Hi, а также создаст кастомную версию HBM4E для конкретных клиентов.
Среди стандартных модулей оперативной памяти линейку возглавит LPDDR6, ориентированная на мобильные устройства и ультратонкие ноутбуки. Для задач искусственного интеллекта SK hynix разрабатывает специальную серию AI-D, в которую войдут:
- LPDDR5X SOCAMM2,
- MRDIMM Gen2,
- LPDDR5R,
- CXL LPDDR6-PIM второго поколения, которая позволит интегрировать вычисления непосредственно в модули памяти.
В сегменте NAND компания планирует запуск PCIe Gen5 eSSD объемом до 245 ТБ на базе чипов QLC и PCIe Gen6 eSSD для корпоративного рынка, а также cSSD для клиентских устройств. В мобильном секторе появятся версии UFS 5.0 и ранние продукты AI-N, сочетающие память и базовую логику для ИИ-вычислений.
2029-2031: Эра DDR6, GDDR7-Next и 400-слойной NAND
Вторая часть дорожной карты охватывает период 2029-2031 годов, когда появится GDDR7-Next — новое поколение графической памяти, которое превзойдет текущую GDDR7 (которая работает на скорости 30-32 Гбит/с с потенциалом до 48 Гбит/с). Это означает, что производители GPU, вероятно, останутся на GDDR7 еще несколько лет, прежде чем перейти на ее наследника.
Параллельно SK hynix готовит DDR6 и 3D DRAM, которые, по прогнозам, начнут появляться в потребительских ПК и серверных системах в конце десятилетия.
Серия HBM также продолжит эволюцию: после HBM4E и кастомных решений компания планирует HBM5 и HBM5E, включая специализированные модификации. В таких вариантах большая часть логики (контроллер и протокольные IP) переносится в базовый слой кристалла, что уменьшает энергопотребление и высвобождает площадь на GPU или ASIC. Производство этих базовых кристаллов SK hynix разрабатывает в партнерстве с TSMC.
В NAND-сегменте появится новый уровень производительности — PCIe Gen7 eSSD и cSSD, UFS 6.0, а также 4D NAND со свыше 400 слоями. Для систем с искусственным интеллектом компания готовит AI-N P «Storage Next» и AI-N B на базе High-Bandwidth Flash, что обеспечит сверхвысокую пропускную способность хранения данных.
Источник: videocardz
Сообщить об опечатке
Текст, который будет отправлен нашим редакторам: