В ночь на 20 октября южнокорейский производитель микросхем памяти SK Hynix объявила о подписании соглашения с американской корпорацией Intel. В рамках соглашения Intel продаст SK Hynix свой бизнес по производству флэш-памяти. Сумма сделки — $9 млрд.
По условиям сделки, SK Hynix выкупит большую часть подразделения в сфере выпуска чипов памяти NAND и устройств хранения данных, включая направление твердотельных накопителей NAND, производство компонентов и полупроводниковых пластин NAND, а также предприятие по производству памяти NAND в Даляне, Китай. В то же время Intel сохранит линейку продуктов памяти Optane, разработанную в сотрудничестве с Micron Technology.
Для SK Hynix эта сделка станет крупнейшим приобретением за всю историю. До этого момента рекордным было приобретение доли в конкурирующей японской компании Kioxia (бывшая Toshiba Memory) в 2017 году за $3,7 млрд.
Сама сделка изменит расстановку сил и сделает SK Hynix одним из крупнейших производителей памяти NAND в мире. Сейчас лидером является Samsung с долей 31,4% (по итогам второго квартала 2020-го), за ней следуют Kioxia с 17,2%, SK Hynix с 11,7%, а также Intel и Micron — по 11,5% на каждую. С приобретением части соответствующего бизнеса Intel доля SK Hynix (она является частью южнокорейского конгломерата SK Group) на рынке флэш-памяти вырастет до 23,2%.
Что касается Intel, компания продолжает перераспределять приоритеты, планируя инвестировать выручку от сделки в расширение своего присутствия в таких быстрорастущих областях, как искусственный интеллект и сети 5G. В прошлом году Intel аналогичным образом избавилась от модемного бизнеса, продав его Apple за $1 млрд.
«Эта сделка необходима для дальшейшей расстановки приоритетов в наших инвестициях в дифференцированные технологии, где мы сможем обеспечить более высокую прибыльность для наших акционеров».
Боб Свон, генеральный директор Intel.
Завершение сделки, которой еще предстоит пройти все необходимые в таких случаях формальности, включая процедуру одобрения регулирующими органами, ожидается в конце 2021 года.